Influence of solution precursors on structure of ZnO films

Abstract

In the work using high resolution scanning electron microscopy and X-ray analysis, we carry out the studying of the corelation between chemical and technological conditions of deposition, the initial solution composition and structural properties of the synthesized samples of zinc oxide.

С использованием сканирующей электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа проведено определение взаимосвязи между физико-технологическими условиями осаждения, составом исходного раствора и структурными свойствами синтезированных образцов оксида цинка. Рост слоев зависит от начальных прекурсоров в исходном растворе и происходит путем формирования упорядоченного массива нановолокон или наноцветов. Выбраны оптимальные условия для получения пленок оксида цинка с контролируемыми структурными свойствами, которые могут быть использованы в качестве базовых слоев в микроэлектронике.

З використанням скануючої електронної мікроскопії та рентгеноструктурного аналізу проведено визначення взаємозв’язку між фізико-технологічними умовами осадження, складом вихідного розчину та структурними властивостями синтезованих зразків оксиду цинку. Ріст шарів залежить від початкових прекурсорів у вихідному розчині і відбувається шляхом формування упорядкованого масиву нановолокон або наноквітів. Обрано оптимальні умови для отримання плівок оксиду цинку з контрольованими структурними властивостями, які можуть бути використані як базові шари у мікроелектроніці.