Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43466
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Новий підхід до моделювання процесів дефектоутворення у монокристалах сульфіду цинку |
Authors |
Berestok, Taisiia Oleksandrivna
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Єлісєєва, А.Р. |
ORCID |
http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 |
Keywords |
монокристали сульфіду цинку монокристаллы сульфида цинка single crystals of zinc sulfide дефектоутворення дефектообразование defect formation |
Type | Conference Papers |
Date of Issue | 2013 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43466 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | |
Citation | Бересток, Т.О. Новий підхід до моделювання процесів дефектоутворення у монокристалах сульфіду цинку [Текст] / Т.О. Бересток, А.С. Опанасюк, А.Р. Єлісєєва // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 22-27 квітня 2013 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2013. - С. 35. |
Abstract |
Метою роботи є удосконалення існуючих підходів до опису ансамблю точкових дефектів та розрахунок їх концентрацій у монокристалах ZnS в залежності від умов отримання. У роботі було запропоновано новий підхід до моделювання процесів дефектоутворення у двокомпонентних сполуках, який поєднує метод квазіхімічних реакцій та розрахунки енергії утворення дефектів у матеріалах з перших принципів. |
Appears in Collections: |
Наукові видання (ЕлІТ) |
Views
Canada
1
China
1
France
1
Germany
3
Greece
1
Hungary
1
Ireland
1769
Japan
1
Lithuania
1
Mongolia
1
Russia
1
Ukraine
16721
United Kingdom
8681
United States
93915
Unknown Country
16720
Downloads
France
1
Germany
2
Lithuania
1
Russia
1
Ukraine
50010
United Kingdom
1
United States
50010
Unknown Country
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Berestok_defect_formation.pdf | 299.85 kB | Adobe PDF | 100027 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.