Вплив протонів низьких енергій на параметри гетероструктури GaSe-InSe

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43885

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Вплив протонів низьких енергій на параметри гетероструктури GaSe-InSe
Authors	Сидор, О.М. Сидор, О.А. Ковалюк, З.Д. Дубінко, В.І.
ORCID
Keywords	шаруваті кристали слоистые кристаллы layered crystals гетероструктури гетероструктуры heterostructures
Type	Conference Papers
Date of Issue	2013
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43885
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Вплив протонів низьких енергій на параметри гетероструктури GaSe-InSe [Текст] / О.М. Сидор, О.А. Сидор, З.Д. Ковалюк, В.І. Дубінко // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 22-27 квітня 2013 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2013. - С. 79.
Abstract	У даній роботі досліджено вплив 30 кеВ-протонів з флюенсом 10[13] см[-2] на гетероструктуру (ГС) p-GaSe–n-InSe, виготовлену методом прямого оптичного контакту шаруватих кристалів.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)