Використання 3D–технологій для виготовлення транзисторів

Гончаненко, О.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43932

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Використання 3D–технологій для виготовлення транзисторів
Authors	Гончаненко, О.М.
ORCID
Keywords	транзистори транзисторы transistors 3D технології 3D технологии 3D technology продуктивність производительность productivity енергоефективність энергоэффективность energy efficiency
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43932
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Гончаненко, О.М. Використання 3D–технологій для виготовлення транзисторів [Текст] / О.М. Гончаненко; кер. І.М. Пазуха // Перший крок у науку: матеріали VІІ студентської конференції, м. Суми, 20 грудня 2015 р. / Відп. за вип. М.Б. Оприско. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 85.
Abstract	Транзистори це складова частина інтегральних мікросхем (ІМС) різного функціонального призначення, які представляють собою високоорганізовані композиційні структури. Для їх виготовлення, як правило, використовуються планарні (2D) технології та комплексний підхід до мініатюризації, що дозволяє збільшити швидкодію, зменшити енергоспоживання та значно зменшити розміри пристроїв, виготовлених на їх основі.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)