Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43932
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Використання 3D–технологій для виготовлення транзисторів |
Authors |
Гончаненко, О.М.
|
ORCID | |
Keywords |
транзистори транзисторы transistors 3D технології 3D технологии 3D technology продуктивність производительность productivity енергоефективність энергоэффективность energy efficiency |
Type | Conference Papers |
Date of Issue | 2015 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43932 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Гончаненко, О.М. Використання 3D–технологій для виготовлення транзисторів [Текст] / О.М. Гончаненко; кер. І.М. Пазуха // Перший крок у науку: матеріали VІІ студентської конференції, м. Суми, 20 грудня 2015 р. / Відп. за вип. М.Б. Оприско. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 85. |
Abstract |
Транзистори це складова частина інтегральних мікросхем (ІМС) різного функціонального призначення, які представляють собою високоорганізовані композиційні структури. Для їх виготовлення, як
правило, використовуються планарні (2D) технології та комплексний підхід до мініатюризації, що дозволяє збільшити швидкодію, зменшити енергоспоживання та значно зменшити розміри пристроїв,
виготовлених на їх основі. |
Appears in Collections: |
Наукові видання (ЕлІТ) |
Views

1

1

149205

1

13350

2

1

1

1

787858

312550

6465032

8515861
Downloads

2

1

1

1

2363378

1

8515859

6
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Honchanenko_transistors.pdf | 369.59 kB | Adobe PDF | 10879249 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.