Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44481
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив радіаційного опромінення на властивості наноструктур поруватого кремнію
Other Titles Влияние радиационного облучения на свойства наноструктур пористого кремния
Effect of Ionizing Radiation on the Properties of Porous Silicon Nanostructures
Authors Оленич, І.Б.
Монастирський, Л.С.
Дзендзелюк, О.С.
ORCID
Keywords Поруватий кремній
Радіаційне випромінювання
Електропровідність
Термости- мульована деполяризація
Фотолюмінесценція
Пористый кремний
Радиационное излучение
Электропроводность
Термостиму- лированная деполяризация
Фотолюминесценция
Porous silicon
Radiation
Conductivity
Thermally stimulated depolarization
Photoluminescence
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44481
Publisher Сумський державний університет
License
Citation І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, О.С. Дзендзелюк, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04063 (2015)
Abstract У роботі досліджено вплив іонізуючого випромінювання ізотопу радію 226Ra на електричні та фотолюмінесцентні властивості наноструктур поруватого кремнію. Внаслідок радіаційної обробки зареєстровано зменшення електричного опору експериментальних зразків в режимі змінного струму і трансформацію смуги люмінесцентного випромінювання. Вивчено температурні залежності електропровідності та струму деполяризації в температурному діапазоні 80-325 К. Проаналізовано вплив радіаційного опромінення на енергетичний розподіл локалізованих електронних станів у структурах на основі поруватого кремнію. Отримані результати розширюють перспективу застосування поруватого кремнію для сенсорів радіації.
В работе исследовано влияние ионизирующего излучения изотопа радия 226Ra на электрические и фотолюминесцентные свойства наноструктур пористого кремния. Вследствие радиационной обработки зарегистрировано уменьшение сопротивления экспериментальных образцов в режиме переменного тока и трансформацию полосы люминесцентного излучения. Изучены температурные зависимости электропроводности и тока деполяризации в температурном диапазоне 80-325 К. Проанализировано влияние радиационного облучения на энергетическое распределение локализованных электронных состояний в структурах на основе пористого кремния. Полученные результаты расширяют перспективу применения пористого кремния для сенсоров радиации.
The influence of ionizing radiation from 226Ra source on the electrical and photoluminescent properties of porous silicon nanostructures was investigated. After the radiation exposure, AC resistance of experimental samples decreased and luminescence band was changed. Temperature dependencies of electrical conductivity and depolarization current were studied in 80-325 K temperature range. Effect of radiation on the energy distribution of localized electronic states in porous silicon based structures is analyzed. Obtained results expand the application prospective of porous silicon for radiation sensing.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Canada Canada
7895527
China China
1
France France
2
Germany Germany
763691108
India India
8148
Ireland Ireland
19734737
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
8156
Russia Russia
8142
Slovenia Slovenia
1
Sweden Sweden
1
Switzerland Switzerland
1
Ukraine Ukraine
133063599
United Kingdom United Kingdom
177994
United States United States
93118190
Unknown Country Unknown Country
133063598

Downloads

China China
183523348
France France
1
Germany Germany
133063597
India India
1
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Sweden Sweden
3951843
Ukraine Ukraine
320475102
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-964532831
Unknown Country Unknown Country
4

Files

File Size Format Downloads
Olenych_Porous_silicon.pdf 303.15 kB Adobe PDF -323518932

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.