Вплив радіаційного опромінення на властивості наноструктур поруватого кремнію

Оленич, І.Б.; Монастирський, Л.С.; Дзендзелюк, О.С.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44481

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Вплив радіаційного опромінення на властивості наноструктур поруватого кремнію
Other Titles	Влияние радиационного облучения на свойства наноструктур пористого кремния Effect of Ionizing Radiation on the Properties of Porous Silicon Nanostructures
Authors	Оленич, І.Б. Монастирський, Л.С. Дзендзелюк, О.С.
ORCID
Keywords	Поруватий кремній Радіаційне випромінювання Електропровідність Термости- мульована деполяризація Фотолюмінесценція Пористый кремний Радиационное излучение Электропроводность Термостиму- лированная деполяризация Фотолюминесценция Porous silicon Radiation Conductivity Thermally stimulated depolarization Photoluminescence
Type	Article
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44481
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, О.С. Дзендзелюк, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04063 (2015)
Abstract	У роботі досліджено вплив іонізуючого випромінювання ізотопу радію 226Ra на електричні та фотолюмінесцентні властивості наноструктур поруватого кремнію. Внаслідок радіаційної обробки зареєстровано зменшення електричного опору експериментальних зразків в режимі змінного струму і трансформацію смуги люмінесцентного випромінювання. Вивчено температурні залежності електропровідності та струму деполяризації в температурному діапазоні 80-325 К. Проаналізовано вплив радіаційного опромінення на енергетичний розподіл локалізованих електронних станів у структурах на основі поруватого кремнію. Отримані результати розширюють перспективу застосування поруватого кремнію для сенсорів радіації. В работе исследовано влияние ионизирующего излучения изотопа радия 226Ra на электрические и фотолюминесцентные свойства наноструктур пористого кремния. Вследствие радиационной обработки зарегистрировано уменьшение сопротивления экспериментальных образцов в режиме переменного тока и трансформацию полосы люминесцентного излучения. Изучены температурные зависимости электропроводности и тока деполяризации в температурном диапазоне 80-325 К. Проанализировано влияние радиационного облучения на энергетическое распределение локализованных электронных состояний в структурах на основе пористого кремния. Полученные результаты расширяют перспективу применения пористого кремния для сенсоров радиации. The influence of ionizing radiation from 226Ra source on the electrical and photoluminescent properties of porous silicon nanostructures was investigated. After the radiation exposure, AC resistance of experimental samples decreased and luminescence band was changed. Temperature dependencies of electrical conductivity and depolarization current were studied in 80-325 K temperature range. Effect of radiation on the energy distribution of localized electronic states in porous silicon based structures is analyzed. Obtained results expand the application prospective of porous silicon for radiation sensing.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)