Температурні зміни енергетичних характеристик поверхневого шару квантових точок InAs в матриці GaAs

Abstract

У роботі розвинута теоретична модель для розрахунку енергетичних характеристик поверхонь квантових точок (КТ) InAs в матриці GaAs при зміні температури їх самоорганізації. Описана теоретична модель дозволяє розраховувати поверхневі енергетичні та адгезійні парметри КТ InAs в матриці GaAs при зміні температури їх самоорганізації. Розраховані результати дають можливість досліджувати (аналізувати) характеристики міжфазних шарів на межах поділу КТ InAs / ЗШ In, ЗШ In / GaAs, КТ InAs / GaAs підкладка (ЗШ – змочуючий шар металу). Вони можуть бути використані для аналізу, тобто визначення загальних закономірностей зміни енергетичних параметрів КТ InAs в матриці GaAs(100). Крім того вони корисні при моделюванні зміни енергетичних характеристик поверхневих шарів, які характеризують механізми взаємодії і релаксації пружних напружень та поверхневих енергій системи GaAs / In / InAs.

В работе развита теоретическая модель для расчета энергетических характеристик поверхностей квантовых точек (КТ) InAs в матрице GaAs при изменении температуры их самоорганизации. Изложенная теоретическая модель позволяет рассчитывать межфазные энергетические и адгезионные параметры КТ InAs в матрице GaAs при изменении температуры их самоорганизации. Рассчитанные результаты дают возможность исследовать (анализировать) характеристики межфазных слоев на границе раздела КТ InAs / СС In, СС In / GaAs, КТ InAs / GaAs подложка (СС – смачивающий слой металла). Они могут быть использованы для анализа – определения общих закономерностей изменений энергетических параметров КТ InAs в матрице GaAs(100). Кроме того они полезны при моделировании изменений энергетических характеристик поверхностных слоев, которые характеризуют механизмы взаимосвязей между релаксацией упругих напряжений и поверхностной энергией системы GaAs / In / InAs.

The work developed a theoretical model for calculating the surface energy characteristics of quantum dots (QD) InAs in the GaAs matrix when the temperature of self-organization. The stated theoretical model allows the calculation of interfacial energy and adhesion parameters InAs QDs in GaAs matrix when the temperature of self-organization. The calculated results provide an opportunity to explore (analyze) the characteristics of interfacial layers at the QD InAs / WL In, WL In / GaAs, QD InAs / GaAs substrate (WL – wetting layer of metal). They can be used for analysis - identifying common patterns of change in the energy parameters of QD InAs in a matrix GaAs (100). In addition, they are useful for modeling changes in the energy characteristics of the surface layers, which characterize the relationship between the mechanisms of relaxation of elastic stresses and the surface energy of GaAs / In / InAs system.