Фотолюминесценция одномерных массивов оксида цинка, электроосажденных в импульсном режиме

Клочко, Н.П.; Клепикова, Е.С.; Копач, В.Р.; Хрипунов, Г.С.; Волкова, Н.Д.; Любов, В.Н.; Копач, А.В

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44564

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Фотолюминесценция одномерных массивов оксида цинка, электроосажденных в импульсном режиме
Other Titles	Фотолюмінесценція одновимірних масивів цинк оксиду, електроосаджених в імпульсному режимі Photoluminescence of One-dimensional Zinc Oxide Arrays Electrodeposited in Pulse Mode
Authors	Клочко, Н.П. Клепикова, Е.С. Копач, В.Р. Хрипунов, Г.С. Волкова, Н.Д. Любов, В.Н. Копач, А.В
ORCID
Keywords	Оксид цинка Импульсное катодное электроосаждение Одномерная наноструктура Фотолюминесценция Цинк оксид Імпульсне катодне електроосадження Одновимірна наноструктура Фотолюмінесценція Zinc oxide Pulse cathodic electrodeposition One-dimensional nanostructure Photoluminescence
Type	Article
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44564
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Н.П. Клочко, К.С. Клєпікова, В.Р. Копач, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04091 (2015)
Abstract	Адаптованим для широкомасштабного виробництва методом імпульсного катодного електроосадження з водного розчину без використання поверхнево-активних модифікаторів росту і подальших термообробок вперше отримані придатні для оптоелектроніки і нанофотоніки одновимірні наноструктуровані масиви цинк оксиду (1D ZnO). Інтенсивною фотолюмінесценцією (ФЛ) в ультрафіолетовій (УФ) області підтверджені низька густина дефектів і висока оптична якість матеріалу. Гострий високий пік УФ фотолюмінесценції наноструктурованого масиву ZnO, електроосадженого на кремнієву підкладку, свідчить про його ефективну випромінювальну рекомбінацію. УФ ФЛ пояснюється виявленими для даних масивів 1D ZnO слабко вираженою кристалічною текстурою (0001), незначними мікронапруженнями і залишковими напруженнями стиснення. Адаптованим для широкомасштабного виробництва методом імпульсного катодного електроосадження з водного розчину без використання поверхнево-активних модифікаторів росту і подальших термообробок вперше отримані придатні для оптоелектроніки і нанофотоніки одновимірні наноструктуровані масиви цинк оксиду (1D ZnO). Інтенсивною фотолюмінесценцією (ФЛ) в ультрафіолетовій (УФ) області підтверджені низька густина дефектів і висока оптична якість матеріалу. Гострий високий пік УФ фотолюмінесценції наноструктурованого масиву ZnO, електроосадженого на кремнієву підкладку, свідчить про його ефективну випромінювальну рекомбінацію. УФ ФЛ пояснюється виявленими для даних масивів 1D ZnO слабко вираженою кристалічною текстурою (0001), незначними мікронапруженнями і залишковими напруженнями стиснення. For the first time one-dimensional nanostructured zinc-oxide arrays (1D ZnO) which are suitable for optoelectronics and nanophotonics were obtained by pulsed cathodic electrodeposition method adapted for large-scale production from aqueous solution without using of surface-active modifiers for growth and subsequent thermal treatments. The low defect density and high optical material quality were confirmed by intensive photoluminescence (PL) in ultraviolet (UV) region. The sharp high peak of UV photoluminescence of nanostructured ZnO array electrodeposited on silicon substrate indicates its effective radiative recombination. The UV PL is explained by weak crystal texture (0001), insignificant compression microstrains and residual stresses which were revealed for these 1D ZnO arrays.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)