Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44810
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Енергетична структура β´-фази кристалу Ag8SnSe6 |
Other Titles |
Energy Structure of β´-phase of Ag8SnSe6 Crystal Энергетическая структура β´-фазы кристалла Ag8SnSe6 |
Authors |
Семків, І.В.
Лукіянець, Б.А. Ільчук, Г.А. Петрусь, Р.Ю. Кашуба, А.І. Чекайло, М.В. |
ORCID | |
Keywords |
Халькогеніди Аргіродит Енергетична структура Густина станів Заборонена зона Халькогениды Аргиродит Энергетическая структура Плотность состояний Запрещенная зона Chalcogenides Argyrodite Energy structure Density of state Band gap |
Type | Article |
Date of Issue | 2016 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44810 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | |
Citation | І.В. Семків, Б.А. Лукіянець та ін. Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 1, 01011 (2016) |
Abstract |
За допомогою рентгенівської дифрактометрії досліджено кристалічну структуру аргіродиту Ag8SnSe6. Встановлено, що сполука кристалізується в орторомбічній гратці з параметрами a = 7,89052 Å, b = 7,78976 Å, c = 11,02717 Å. Проведено розрахунок зонної енергетичної структури β´- фази кристалу Ag8SnSe6 в усьому k-просторі. Встановлено, що β´-фаза кристала є – прямозонний напівпровідник з шириною забороненої зони Eg = 0,765 еВ, вершиною валентної зони та дном зони провідності, локалізованими в Г- точці. Вершину валентної зони формують d-орбіталі Ag, а дно зони провідності, в основному, сформоване p- орбіталями Ag із вкладом p-орбіталей Se та Sn. С помощью рентгеновской дифрактометрии исследована кристаллическая структура аргиродита Ag8SnSe6. Установлено, что соединение кристаллизуется в орторомбической решетке с параметрами a = 7,89052 Å, b = 7,78976 Å, c = 11,02717 Å. Приведено результаты расчета зонно-энергетической структуры β´-фазы кристалла Ag8SnSe6 во всем k-пространстве. Установлено, что така фаза является прямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны Eg = 0,765 эВ с вершиной валентной зоны и дном зоны проводимости, локализованными в Г-точке. Вершину валентной зоны формируют d- орбитали Ag, а дно зоны проводимости в основном сформировано p- орбиталями Ag с вкладом p-орбиталей Se и Sn. The crystal structure of Ag8SnSe6 was investigated using X-ray diffraction. Argyrodite Ag8SnSe6 crystallizes in the orthorhombic unit cell with the lattice parameters a = 7,89052 Å, b = 7,78976 Å, c = 11,02717 Å. The energy band structure of Ag8SnSe6 is calculated from the first principles within both the local density approximation (LDA) and the generalized gradient approximation (GGA). Theoretical calculation of the relative coordinates of the atoms in the unit cell good agree with experimental results. Argyrodite is semiconductor with a direct energy gap at G of 0,765 eV. The electron density of state were calculated. The bottom of the conduction band is predominantly formed by the Ag p-states with the lower contribution by the Sn and Se p-states. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Argentina
1
Canada
1
China
1
France
4
Germany
4
Indonesia
1
Ireland
14720775
Italy
1
Lithuania
1
Netherlands
1429
Norway
1
Russia
1
Singapore
1
Taiwan
1
Turkey
1
Ukraine
1770103
United Kingdom
890405
United States
14720777
Unknown Country
16
Downloads
China
689755
Finland
1
Germany
3
India
1
Lithuania
1
Netherlands
1
Russia
1
Singapore
1
South Korea
1
Taiwan
1
Tunisia
1
Ukraine
3495959
United Kingdom
1
United States
14720778
Unknown Country
16
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Semkiv_Lukiianets_Ilchuk_Petrus_Kashuba_Chekailo.pdf | 445.27 kB | Adobe PDF | 18906521 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.