Вплив ультразвуку на формування самоорганізованих однорідних нанокластерів

Abstract

Розвинуто нелінійну дифузійно-деформаційну теорію самоорганізації нанокластерів точкових дефектів у напівпровіднику, що піддається впливу ультразвуку, яка враховує взаємодію дефектів між собою та з атомами матриці через пружне поле, створене точковими дефектами та акустичною хвилею. У межах даної теорії досліджено вплив ультразвуку на умови формування сферичних нанокластерів та їх радіус. Визначено розмір нанокластера залежно від середньої концентрації дефектів та амплітуди акустичної хвилі. Встановлено, що ультразвукова обробка напівпровідника в процесі формування масиву нанокластерів призводить до зменшення дисперсії їх розмірів.

The non-linear diffusion-deformation theory of self-organization of nanoclusters of dot defects in semiconductor exposed to ultrasound treatment that considers the interaction of defects among themselves and with atoms of a matrix via the elastic field created by dot defects and an acoustic wave is developed. Within this theory the influence of ultrasound on the conditions of formation of spherical nanoclusters and their radius is investigated. The nanocluster size depending on average concentration of defects and amplitude of an acoustic wave is determined. It is established that ultrasonic treatment of the semiconductor in the process of formation of an ensemble of nanoclusters leads to reduction of dispersion of their sizes.