Електронна структура напівметалевого кристала CoFeMnSi, отримана з урахуванням сильних кореляцій 3d електронів

Abstract

Розраховані електронні енергетичні спектри та густини електронних станів напівметалевого кристала CoFeMnSi без урахування сильних електронних кореляцій та з включенням останніх в розрахункову схему. Виявлено великий вплив сильних кореляцій 3d електронів на значення ширини забороненої зони кристала. Зроблені припущення щодо величини параметра змішування в обмінно-кореляційному функціоналі для металів та напівметалів. Зроблено висновок про важливість врахування сильних кореляцій у кристалах з перехідними елементами.

Рассчитаны электронные энергетические спектры и плотности электронных состояний полуметаллического кристалла CoFeMnSi без учета сильных электронных корреляций и с включением последних в расчетную схему. Выявлено большое влияние сильных корреляций 3d электронов на значение ширины запрещенной зоны кристалла. Сделаны предположения относительно величины параметра смешивания в обменно-корреляционном функционале для металлов и полуметаллов. Сделан вывод о важности учета сильных корреляций в кристаллах с переходными элементами.

The electron energy spectra and the electron density of states of the half-metal crystal CoFeMnSi have been calculated without strong electron correlations and with the inclusion of them in the calculation scheme. A significant influence of strong electron correlations of 3d electrons on the band gap value of the crystal was revealed. The assumptions about the values of the mixing parameter in the exchange-correlation functional for metals and semimetals have been done. The conclusion about the importance of taking into account the strong correlations in crystals, containing the transition elements, was done.