Локальне розсіяння електронів на дефектах кристалічної гратки в InSb та InN

Abstract

У представленій роботі розглядається взаємодія електронів з дефектами гратки, які характеризуються потенціалом лімітованого радіусу дії, в кристалах антимоніду та нітриду індію. Концентрація домішок в досліджених кристалах n-InSb складала (1÷8) × 1014 см – 3, а в зразку n-InN ≈ 6 × 1017 см – 3. В рамках аналітичного розв’язку стаціонарного кінетичного рівняння Больцмана, використовуючи принцип близькодії, встановлено температурні залежності рухливості електронів, фактору Холла та термоелектрорушійної сили в антимоніді індію в температурному діапазоні 8-700 К. Для кристалу нітриду індію представлено залежності рухливості електронів та фактору Холла від температури в діапазоні 4.2-560 K.

В представленной работе рассматривается взаимодействие электронов с дефектами решетки, характеризуемых потенциалом лимитированного радиуса действия, в кристаллах антимонида и нитрида индия. Концентрация примеси в исследуемых кристаллах n-InSb составляла (1÷ 8) × 1014 см – 3, а в образце n-InN ≈ 6 × 1017 см – 3. В рамках аналитического решения стационарного кинетического уравнения Больцмана, используя принцип близкодействия, установлено температурные зависимости подвижности электронов, фактора Холла и термоэлектродвижущей силы в антимониде индия в температурном диапазоне 8-700 К. Для кристалла нитрида индия представлено зависимости подвижности электронов и фактора Холла в интервале 4.2-560 K.

In proposed paper the interaction of electrons with lattice defects characterized by the potential of the limited action radius in indium antimonide and nitride crystals is considered. The dopant concentration in observed n-InSb crystals was (1÷ 8) × 1014 cm – 3 and in n-InN sample ≈ 6 × 1017 cm – 3. In the framework of the analytical solution of the stationary kinetic Boltzmann equation using the short-range principle the temperature dependences of electron mobility, Hall factor and thermoelectric power in indium antimonide in the temperature range 8-700 K are calculated. For indium nitride crystal the temperature dependences of electron mobility and Hall factor in the interval 4.2-560 K are presented.