Вплив технологічних факторів отримання на морфологію поверхні та електричні властивості плівок PbTe легованих Bi

Abstract

Досліджено вплив технологічних факторів отримання: часу та температур випарника та підкладки на морфологію поверхні та електричні властивості осаджених з пари у вакуумі на підкладки з ситалу плівок PbTe легованого Bi. Використано атомно-силову мікроскопію, методи обробки зображення та холлівські дослідження. Проаналізовано вплив параметрів форми поверхневих кристалітів на рухливість вільних носіїв заряду.

Исследовано влияние технологических факторов получения: времени и температур испарителя и подложки на морфологию поверхности и электрические свойства осажденных из пары в вакууме на подложки из ситалла пленок PbTe легированного Bi. Использованы атомно-силовая микроскопия, методы обработки изображения и холловские исследования. Проанализировано влияние параметров формы поверхностных кристаллитов на подвижность свободных носителей заряда.

The influence of technological factors obtaining: time and temperature of the evaporator and the substrate on the surface morphology and electrical properties of the deposited from the vapor in a vacuum on a substrate of sital films PbTe doped Bi is researched. The atomic force microscopy, image processing methods and Hall research are used. The influence of the shape parameters of surface crystallites on the mobility of free charge carriers is analyzed.