Вплив технологічних факторів отримання на морфологію поверхні та електричні властивості плівок PbTe легованих Bi

Салій, Я.П.; Дзундза, Б.С.; Биліна, І.С.; Костюк, О.Б.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45576

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Вплив технологічних факторів отримання на морфологію поверхні та електричні властивості плівок PbTe легованих Bi
Other Titles	The Influence of the Technological Factors of Obtaining on the Surface Morphologyand Electrical Properties of the PbTe Films doped Bi Влияние технологических факторов получения на морфологию поверхностии электрические свойства пленок PbTe легированных Bi
Authors	Салій, Я.П. Дзундза, Б.С. Биліна, І.С. Костюк, О.Б.
ORCID
Keywords	Телурид свинцю Легування Тонкі плівки Розсіювання Поверхня Теллурид свинца Легирование Тонкие пленки Рассеивание Поверхность Lead telluride Doping Thin films Scattering Surface
Type	Article
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45576
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Я.П. Салій, Б.С. Дзундза, І.С. Биліна, О.Б. Костюк, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02045 (2016)
Abstract	Досліджено вплив технологічних факторів отримання: часу та температур випарника та підкладки на морфологію поверхні та електричні властивості осаджених з пари у вакуумі на підкладки з ситалу плівок PbTe легованого Bi. Використано атомно-силову мікроскопію, методи обробки зображення та холлівські дослідження. Проаналізовано вплив параметрів форми поверхневих кристалітів на рухливість вільних носіїв заряду. Исследовано влияние технологических факторов получения: времени и температур испарителя и подложки на морфологию поверхности и электрические свойства осажденных из пары в вакууме на подложки из ситалла пленок PbTe легированного Bi. Использованы атомно-силовая микроскопия, методы обработки изображения и холловские исследования. Проанализировано влияние параметров формы поверхностных кристаллитов на подвижность свободных носителей заряда. The influence of technological factors obtaining: time and temperature of the evaporator and the substrate on the surface morphology and electrical properties of the deposited from the vapor in a vacuum on a substrate of sital films PbTe doped Bi is researched. The atomic force microscopy, image processing methods and Hall research are used. The influence of the shape parameters of surface crystallites on the mobility of free charge carriers is analyzed.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)