Виникнення додаткової електронної провідності кремнієвих структур в атмосфері вологого аміаку: квантовохімічне моделювання

Abstract

В даній роботі систематично надані експериментальні дані і критично розглянуті їх теоретичні пояснення, які відносяться до зміни провідності різних кремнієвих структур при адсорбції молекул аміаку. Ми провели квантовохімічні розрахунки для оцінки можливості появи електронної провідності при протонуванні молекули NH3 на природній поверхні Si. Наші розрахунки забезпечують повне пояснення експериментальних результатів з цього питання, отриманих останнім часом.

В данной работе систематически поданы экспериментальные данные и критически рассмотрены их теоретические объяснения, относящиеся к изменению проводимости различных кремниевых структур при адсорбции молекул аммиака. Мы провели квантовохимические расчеты для оценки возможности возникновения электронной проводимости при протонировании молекулы NH3 на естественной поверхности Si. Наши расчеты обеспечивают полное объяснение экспериментальных результатов по этому вопросу, полученных в последнее время.

The paper critically reviewed experimental data and their theoretical explanations related to the change in conductivity of the various silicon structures arising from the adsorption of ammonia molecules. We performed quantum-chemical calculations to assess the possibility of the appearance of electronic conductivity by NH3 molecule protonation on the native Si oxide surface. Our calculations provide a full explanation of the experimental results on the subject recently obtained.