Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45628
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив ефектів розмірності на термоелектричні властивості тонких плівок PbTe
Other Titles Влияние эффектов размерности на термоэлектрические свойства тонких пленок PbTe
The Influence of the Size Effects on the Termoelectrical Properties of PbTe Thin Films
Authors Рувінський, М.А.
Костюк, О.Б.
Дзундза, Б.С.
ORCID
Keywords Класичні розмірні ефекти
Квантово-розмірні ефекти
Тонкі плівки
Плюмбум телурид
Термоелектричні властивості
Классические размерные эффекты
Квантово-размерные эффекты
Тонкие пленки
Плюмбум теллурид
Термоэлектрические свойства
Classical size effects
Quantum size effects
Thin film
Lead telluride
Thermoelectric properties
Type Article
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45628
Publisher Сумський державний університет
License
Citation М.А. Рувінський, О.Б. Костюк, Б.С. Дзундза, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02051 (2016)
Abstract За кінетичним рівнянням Больцмана розв’язана крайова задача для розрахунку електропровідності та коефіцієнта Зеєбека для плівки з прямокутним перерізом. Розглянуто дзеркально-дифузний механізм відбиваня носіїв струму від поверхонь плівки. Розрахунки проведено для різних товщин напівпровідника n-PbTe. Для моделі квантової прямокутної ями з плоским дном та нескінченно високими стінками розраховано значення коефіцієнта Зеєбека для n-PbTe. Експериментально досліджено квантові і класичні розмірні ефекти. Показано перехід осцилюючих залежностей до монотонних для термоелектричних параметрів наноструктур на основі n-PbTe.
Получено решение краевой задачи кинетического уравнения Больцмана для расчета электропроводности и коэффициента Зеебека для пленки с прямоугольным сечением. Рассмотрен зеркально-диффузный механизм отражений носителей тока от поверхности пленки. Расчеты проведены для различных толщин полупроводника n-PbTe. Для модели квантовой прямоугольной ямы с плоским дном и бесконечно высокими стенками рассчитано значение коэффициента Зеебека для n-PbTe. Экспериментально исследованы квантовые и классические размерные эффекты. Показано переход осциллирующих зависимостей к монотонным для термоэлектрических параметров наноструктур на основе n-PbTe.
Based on kinetic Boltzmann equation the boundary problem of calculating the conductivity and Seebeck coefficient for a film with a rectangular cross section is solved. Mirror-diffuse mechanism of reflection of the charge carriers from the surfaces of the film is considered. Calculations were performed for different thicknesses semiconductor n-PbTe. Based on the model of quantum flat rectangular and with infinitely high walls pit, the value of Seebeck coefficient S was calculated for n-PbTe. The quantum and classical size effects were experimentally investigated. The transition from the oscillating to monotonic dependences of the thermoelectric parameters of nanostructures based on n-PbTe has been proved.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
Brazil Brazil
1
Canada Canada
1
China China
2
France France
3
Germany Germany
3
Ireland Ireland
46270
Italy Italy
2
Lebanon Lebanon
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
969933
United Kingdom United Kingdom
485586
United States United States
15222198
Unknown Country Unknown Country
969932

Downloads

France France
1
Germany Germany
2479
Greece Greece
1
India India
1
Ireland Ireland
1
Jamaica Jamaica
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
2863514
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
15222199
Unknown Country Unknown Country
18

Files

File Size Format Downloads
Ruvinskii.pdf 619.87 kB Adobe PDF 18088217

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.