Дифузійні бар'єри мікросхем на основі плівок W і Ti

Подуремне, Д.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45764

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Дифузійні бар'єри мікросхем на основі плівок W і Ti
Authors	Подуремне, Д.В.
ORCID
Keywords	плівки пленки films кристали кристаллы crystals
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45764
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Подуремне, Д.В. Дифузійні бар'єри мікросхем на основі плівок W і Ti [Текст] / Д.В. Подуремне; кер. І.Ю. Проценко // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 163.
Abstract	На сучасному етапі розвитку мікроелектроніки актуальною залишається проблема термічної стабільності металізації кристалів. Для вирішення даної проблеми сформовані різні види багатошарових систем металізації, які у самому загальному випадку містять три основних шару: адгезійний, бар'єрний і захисний. При тривалому високотемпературному і струмовому навантаженні відбувається деградація мікроелектронної структури, а саме: втрата адгезії металізації; руйнування з'єднань між шарами; розплавлення бар'єрного шару.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)