Радіаційна стійкість плівок власного оксиду InSe

Сидор, О.М.; Сидор, О.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45773

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Радіаційна стійкість плівок власного оксиду InSe
Authors	Сидор, О.М. Сидор, О.А.
ORCID
Keywords	плівки пленки films напівпровідники полупроводники semiconductors
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45773
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Сидор, О.М. Радіаційна стійкість плівок власного оксиду InSe [Текст] / О.М. Сидор, О.А. Сидор // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 147.
Abstract	Власні оксиди (ВО) напівпровідників дуже широко застосовують в електронних компонентах. Низька густина обірваних звязків на ван-дер-Ваальсовій поверхні шаруватого кристалу InSe дозволяє формувати високоякісні плівки ВО уникаючи традиційних процесів шліфування, полірування і травлення та створювати ефективні фотоперетворювачі (ФП). Якщо раніше вивчався вплив опромінення на InSe чи структури на його основі, то метою даної роботи є дослідження радіаційної стійкості (РС) саме плівки ВО селеніду індію, як компоненти ФП власний оксид-ІnSe.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)