Вакансії і дивакансії кремнію - наноструктурні формування, на основі яких можуть бути побудовані елементи приладів квантових інформаційних технологій

Марценюк, Л.С.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45790

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Вакансії і дивакансії кремнію - наноструктурні формування, на основі яких можуть бути побудовані елементи приладів квантових інформаційних технологій
Authors	Марценюк, Л.С.
ORCID
Keywords	кремній кремний silicon наноструктури наноструктуры nanostructures
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45790
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Марценюк, Л.С. Вакансії і дивакансії кремнію - наноструктурні формування, на основі яких можуть бути побудовані елементи приладів квантових інформаційних технологій [Текст] / Л.С. Марценюк // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 96.
Abstract	У представленій роботі проаналізовані літературні дані по експериментальним дослідженням властивостей бістабільних радіаційних дефектів, - вакансій і дивакансій кремнію (вакансія є бістабільним дефектом при низьких температурах). Вперше показано, що для цих дефектів за певних умов (опромінення, подачі електричних імпульсів або дії квантами фотонного випромінювання.) можуть виникати такі квантові ефекти, як заплутування та інтерференційні переходи між квантовими станами мінімумів адіабатичної енергії.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)