Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe

Кушнір, Б.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45870

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe
Authors	Кушнір, Б.В.
ORCID
Keywords	гетероструктури гетероструктуры heterostructures шаруваті кристали слоистые кристаллы layered crystals
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45870
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Кушнір, Б.В. Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe [Текст] / Б.В. Кушнір // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 143.
Abstract	Шаруваті кристали групи А[3]В[6], до яких належать селенід індію та теллурид галію, є перспективними матеріалами для створення гетеропереходів на їх основі. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної решітки дозволяють методом ван-дер-ваальсового контакту їх поверхонь створювати якісні гетероструктури.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)