Определение ширины запрещенной зоны кристаллов Ti Ga Se[2]

Нахмедли, А.И.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45996

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Определение ширины запрещенной зоны кристаллов Ti Ga Se[2]
Authors	Нахмедли, А.И.
ORCID
Keywords	кристали кристаллы crystals фотоелектричні властивості фотоэлектрические свойства photoelectric properties
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45996
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Нахмедли, А.И. Определение ширины запрещенной зоны кристаллов Ti Ga Se[2] [Текст] / А.И. Нахмедли; рук. М.М. Годжаев // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 151.
Abstract	Исследование спектров фотопроводимости в кристалле Ti Ga Se[2] позволил определить ширину запрещенной зоны этого кристалла. Образцы для изучения фотоэлектрических свойств изготовлялись скалыванием кристаллов из плоскопараллельных пластинок дырочной проводимостью. Омическим контактом служил расплавленный индий. Электрическое поле было направлено вдоль естественных слоев, а свет был направлен перпендикулярно слоям.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)