Інжекційна спектроскопія глибоких пасток у плівках SnS2, отриманих методом термічного випаровування у КЗО

Voznyi, Andrii Andriiovych; Возний, Андрій Андрійович; Косяк, Володимир Володимирович; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Тиркусова, Надія Володимирівна

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46501

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Інжекційна спектроскопія глибоких пасток у плівках SnS2, отриманих методом термічного випаровування у КЗО
Authors	Возний, Андрій Андрійович Voznyi, Andrii Andriiovych Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Tyrkusova, Nadiia Volodymyrivna
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-3248-0067
Keywords	SnS2 термічне випаровування термическое испарение thermal evaporation
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46501
Publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова
License
Citation	Інжекційна спектроскопія глибоких пасток у плівках SnS2, отриманих методом термічного випаровування у КЗО [Текст] / А.А. Возний, В.В. Косяк, А.С. Опанасюк, Н.М. Тиркусова // Збірник тез конференції молодих вчених з фізики напівпровідників «Лашкарьовські читання – 2015» з міжнародною участю, м. Київ, 1-3 квітня. - Київ, 2016 - С. 49
Abstract	Плівки SnS2 були отримані на скляних підкладках покритих підшаром Mo у вакуумній установці ВУП-5 М методом термічного вакуумного випаровування шихти у квазізамненому об’ємі (КЗО). Товщина досліджених шарів складала ~ 1 мкм. Температура підкладки при отримані зразків змінювалась в інтервалі від 473-723 К.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)