Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In[4]Se[3]

Abstract

Методом термічного окислення напівпровідникової підкладки створений новий гетероперехід власний оксид p-In[4]Se[3. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудована його якісна зонна діаграма. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар’єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Представлені також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу.

Методом термического окисления полупроводниковой подложки создан новый гетеропереход собственный оксид – p-In[4]Se[3. На основе анализа электрических и фотоэлектрических характеристик гетероперехода построена его качественная зонная диаграмма. Особенностью данного гетероперехода является механизм протекания тока через барьер, который определяется не диффузией носителей, атермоэлектронной эмиссией. Представлены также АСМ-изображения поверхности оксидного слоя и спектр фоточувствительности исследуемого гетероперехода.

The intrinsic oxide p-In[4]Se[3] heterojunction was fabricated by the method of thermal oxidation of semiconductor substrate for the first time. The qualitative energy band diagram was built on the basis of analysis of electrical and photovoltaic characteristics of the heterojunction. The character of dominating current transport mechanisms through the barrier is determined by thermionic emission, rather than carrier diffusion. The AFM-images of oxide layer surface and the photosensitivity spectrum of intrinsic oxide p-In[4]Se[3] heterojunctions also were presented.