Релаксація магнітомеханічного ефекту в кристалах напівпровідникового кремнію

Куцова, В.З.; Носко, О.А.; Сулай, А.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47651

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Релаксація магнітомеханічного ефекту в кристалах напівпровідникового кремнію
Authors	Куцова, В.З. Носко, О.А. Сулай, А.М.
ORCID
Keywords	релаксація релаксация relaxation рентгеноструктурний аналіз рентгеноструктурный анализ X-ray diffraction analysis кремній кремний silicon
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47651
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Куцова, В.З. Релаксація магнітомеханічного ефекту в кристалах напівпровідникового кремнію [Текст] / В.З. Куцова, О.А. Носко, А.М. Сулай // Системи розроблення та поставлення продукції на виробництво : матеріали I Міжнародної науково-практичної конференції, м. Суми, 17-20 травня 2016 р. / Ред.кол.: О.Г. Гусак, К.О. Дядюра. - Суми : СумДУ, 2016. - С. 226-227.
Abstract	Проведено дослідження релаксації магнітомеханічного ефекту в кристалах напівпровідникового кремнію. Відзначено розвиток релаксаційних процесів (РП) в зразках Cz-Si, що пройшли магнітну обробку (МО) та старіння. Відзначено, що кінетика РП обумовлена часом експозиції зразків в магнітному полі.
Appears in Collections:	Наукові видання (ТеСЕТ)