Порівняння електрофізичних характеристик нелегованих кристалів Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1)

Фочук, П.; Никонюк, Є.; Захарук, З.; Дремлюженко, С.; Солодін, C.; Копач, О.; Опанасюк, Анатолій Сергійович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48916

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Порівняння електрофізичних характеристик нелегованих кристалів Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1)
Other Titles	Сопоставление электрофизических характеристик нелегированных кристаллов Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1) Comparison of Electrophysical Characteristics of Undoped Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe and Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1) Crystals
Authors	Фочук, П. Никонюк, Є. Захарук, З. Дремлюженко, С. Солодін, C. Копач, О. Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	Тверді розчини Cd1 – xZnxTe Cd1 – yMnyTe Cd1 – x – yZnxMnyTe Монокристали Метод Бріджмена Електрофізичні властивості Твердые растворы Cd1 – xZnxTe Cd1 – yMnyTe и Cd1 – x – yZnxMnyTe Монокристаллы Метод Бриджмена Электрофизические свойства Cd1 – xZnxTe Cd1 – yMnyTe Single crystal Cd1 – x – yZnxMnyTe solid solutions Bridgman method Electro-physical properties
Type	Article
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48916
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	П. Фочук, Є. Никонюк, З. Захарук, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 4(1), 04011 (2016)
Abstract	Проведено аналіз температурної залежності (Т = 80÷360 К) електрофізичних властивостей кристалів Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1), вирощених вертикальним методом Бріджмена. Встановлено, що в кристалах Cd1 – xZnxTe провідність контролюється як акцепторами А1(ε0A=0,03÷0,05 еВ), так і акцепторами А2(ε0A ≈ 0,12 еВ), енергія іонізації яких не залежить від складу, а в кристалах Cd1 – yMnyTe і Cd1 – x – yZnxMnyTe лише акцепторами А2, при цьому залежність εА2(y) описується рівнянням: εА2 = 0,12 (1 + 5,5y), еВ. Проведен анализ температурных зависимостей (Т= 80÷360 К) электро-физических свойств кристаллов Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe и Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1) выращенных вертикальным методом Бриджмена. Установлено, что в кристаллах Cd1 – xZnxTe проводимость контролируется как акцепторами А1 (0A = 0,03÷0,05 эВ), так и акцепторами А2 (ε0A ≈ 0,12 эВ), энергия ионизации которых зависит от состава, а в кристаллах Cd1 – yMnyTe и Cd1 – x – yZnxMnyTe только акцепторами А2, при этом зависимость εА2(y) описывается уравнением: εА2 = 0,12(1 + 5,5y), эВ. The temperature dependences (T = 80÷360 K) analysis of electro-physical properties of Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe and Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1) crystals, grown by Vertical Bridgman was carried out. It was installed, that in Cd1 – xZnxTe crystals the conductivity is controlled as acceptors A1 ( 0A = 0.03÷0.05 eV) and acceptors A2 (ε0A ≈ 0.12 eV), ionization energy which does not depend on the composition, and in Cd1 – yMnyTe and Cd1 – x – yZnxMnyTe crystals only by acceptors A2, and the dependence εA2(y) is described by the equation: εA2 = 0.12 (1 + 5,5y), eV.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)