Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48916
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Порівняння електрофізичних характеристик нелегованих кристалів Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1)
Other Titles Сопоставление электрофизических характеристик нелегированных кристаллов Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1)
Comparison of Electrophysical Characteristics of Undoped Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe and Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1) Crystals
Authors Фочук, П.
Никонюк, Є.
Захарук, З.
Дремлюженко, С.
Солодін, C.
Копач, О.
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
ORCID http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords Тверді розчини Cd1 – xZnxTe
Cd1 – yMnyTe
Cd1 – x – yZnxMnyTe
Монокристали
Метод Бріджмена
Електрофізичні властивості
Твердые растворы Cd1 – xZnxTe
Cd1 – yMnyTe и Cd1 – x – yZnxMnyTe
Монокристаллы
Метод Бриджмена
Электрофизические свойства
Cd1 – xZnxTe
Cd1 – yMnyTe
Single crystal
Cd1 – x – yZnxMnyTe solid solutions
Bridgman method
Electro-physical properties
Type Article
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48916
Publisher Сумський державний університет
License
Citation П. Фочук, Є. Никонюк, З. Захарук, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 4(1), 04011 (2016)
Abstract Проведено аналіз температурної залежності (Т = 80÷360 К) електрофізичних властивостей кристалів Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1), вирощених вертикальним методом Бріджмена. Встановлено, що в кристалах Cd1 – xZnxTe провідність контролюється як акцепторами А1(ε0A=0,03÷0,05 еВ), так і акцепторами А2(ε0A ≈ 0,12 еВ), енергія іонізації яких не залежить від складу, а в кристалах Cd1 – yMnyTe і Cd1 – x – yZnxMnyTe лише акцепторами А2, при цьому залежність εА2(y) описується рівнянням: εА2 = 0,12 (1 + 5,5y), еВ.
Проведен анализ температурных зависимостей (Т= 80÷360 К) электро-физических свойств кристаллов Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe и Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1) выращенных вертикальным методом Бриджмена. Установлено, что в кристаллах Cd1 – xZnxTe проводимость контролируется как акцепторами А1 (0A = 0,03÷0,05 эВ), так и акцепторами А2 (ε0A ≈ 0,12 эВ), энергия ионизации которых зависит от состава, а в кристаллах Cd1 – yMnyTe и Cd1 – x – yZnxMnyTe только акцепторами А2, при этом зависимость εА2(y) описывается уравнением: εА2 = 0,12(1 + 5,5y), эВ.
The temperature dependences (T = 80÷360 K) analysis of electro-physical properties of Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe and Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1) crystals, grown by Vertical Bridgman was carried out. It was installed, that in Cd1 – xZnxTe crystals the conductivity is controlled as acceptors A1 ( 0A = 0.03÷0.05 eV) and acceptors A2 (ε0A ≈ 0.12 eV), ionization energy which does not depend on the composition, and in Cd1 – yMnyTe and Cd1 – x – yZnxMnyTe crystals only by acceptors A2, and the dependence εA2(y) is described by the equation: εA2 = 0.12 (1 + 5,5y), eV.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Canada Canada
1
China China
309
Denmark Denmark
1
France France
1
Germany Germany
18533
Greece Greece
1
Ireland Ireland
9267
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1235
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
98840
United Kingdom United Kingdom
50655
United States United States
1270542
Unknown Country Unknown Country
12

Downloads

China China
2
Germany Germany
4939
Lithuania Lithuania
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
197390
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1270541
Unknown Country Unknown Country
3

Files

File Size Format Downloads
Fochuk_Nykonyuk_Zakharuk_Dremlyuzhenko_Solodin_Kopach_Opanasyuk.pdf 412.87 kB Adobe PDF 1472878

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.