Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49683
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Low-temperature Minimum in the Electrical Resistivity of the Bi1.9Lu0.1Te3 |
Other Titles |
Низькотемпературний мінімум електричного опору Bi1.9Lu0.1Te3 Низкотемпературный минимум электрического сопротивления Bi1.9Lu0.1Te3 |
Authors |
Ivanov, O.N.
Yaprintsev, M.N. Lyubushkin, R.A. Soklakova, O.N. |
ORCID | |
Keywords |
Electrical resistivity Bi1 9Lu0 1Te3 alloy Electron mobility Hopping conductivity Електричний опір Сплав Bi1 Рухливість електронiв Стрибкова провiднiсть Электрическое сопротивление Сплав Bi1.9Lu0.1Te3 Подвижность электронов Прыжковая проводимость |
Type | Article |
Date of Issue | 2016 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49683 |
Publisher | Sumy State University |
License | |
Citation | O.N. Ivanov, M.N. Yaprintsev, R.A. Lyubushkin, O.N. Soklakova, J. Nano- Electron. Phys. 8 No 4(1), 04036 (2016) |
Abstract |
Температурна залежність питомого електричного опору ρ Bi1.9Lu0.1Te3 вивчено в інтервалі температур 2 ÷ 230 K. Мінімум опору виявлений при температурі Tm ≈ 11 K. Цей мінімум з'являється через зміну механізму провідності. Вище Tm опір збільшується зі збільшенням температури. Це поведінка зумовлена зменшенням рухливості електронів через розсіювання фононів при нагріванні. Нижче Tm стрибкова провідність з змінної довжиною стрибка, заснована на тунелюванні електронів, має місце. В цьому випадку ρ збільльшується зі зменшенням температури. Два польових режима стрибкової провідності виявлені в залежностях опору від напруженості електричного поля. Температурная зависимость удельного электрического сопротивления ρ Bi1.9Lu0.1Te3 изучено в интервале температур 2 ÷ 230 K. Минимум сопротивления обнаружен при температуре Tm ≈ 11 K. Этот минимум появляется из-за изменения механизма проводимости. Выше Tm сопротивление увеличивается с увеличением температуры. Это поведение обусловлено уменьшением подвижности электронов из-за рассеяния фононов при нагревании. Ниже Tm прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, основанная на туннелировании электронов, имеет место. В этом случае ρ увеличивается с понижением температуры. Два полевых режима прыжковой проводимости обнаружены в зависимостях сопротивления от напряженности электрического поля. The temperature dependence of the specific electrical resistivity, ρ, of the Bi1.9Lu0.1Te3 alloy has been studied within the temperature 2 ÷ 230 K interval. Minimum in the resistivity was found at temperature Tm ≈ 11 K. This minimum is originated from a change of conductivity mechanism. Above Tm, the resistivity ρ increases as temperature increases. This behavior is due to the electron mobility decrease via an acoustic phonon scattering at heating. Below Tm, the variable-range hopping conductivity based on electron tunneling takes place. In this case, ρ increases as temperature decreases. Two electric field regimes of the hopping conductivity were observed in the resistivity versus electric field strength dependences. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Canada
1
China
1
France
1
Germany
2
India
1
Ireland
66850
Italy
1
Lithuania
1
Mexico
228692
Netherlands
2641
Sweden
1
Ukraine
1233175
United Kingdom
457385
United States
13422510
Unknown Country
1233174
Vietnam
19354
Downloads
China
16663791
France
1
Germany
19352
Hong Kong SAR China
1
Japan
1
Lithuania
1
Mexico
1
Ukraine
3698666
United Kingdom
457383
United States
16663793
Unknown Country
49
Vietnam
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Ivanov_Yaprintsev_Lyubushkin.pdf | 525.21 kB | Adobe PDF | 37503040 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.