Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/52335
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадмієм на їх електрофізичні властивості |
Other Titles |
Влияние условий роста кристаллов теллурида кадмия из сверхстехиометрическим кадмием на их электрофизические свойства Effect of the Growth Conditions of Cadmium Telluride Crystals with Overstoichiometric Cadmium on their Electro-Physical Properties |
Authors |
Фочук, П.М.
Никонюк, Є.С. Захарук, З.І. Раренко, Г.І. Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Ковалець, М.О. |
ORCID |
http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 |
Keywords |
телурид кадмію теллурид кадмия cadmium telluride стехіометрія стехиометрия stoichiometry відпал отжиг annealing електрофізичні властивості электрофизические свойства electrophysical properties включення іншої фази включение другой фазы inclusion of a phase |
Type | Article |
Date of Issue | 2017 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/52335 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | |
Citation | Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [Текст] / П.М. Фочук, Є.С. Никонюк, З.І. Захарук [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 1. - 01007. - DOI: 10.21272/jnep.9(1).01007. |
Abstract |
Показано, що електрофізичні характеристики кристалів телуриду кадмія з надстехіометричним
кадмієм, вирощених методом Бріджмена, визначаються передростовою температурою розплаву. У випадку невеликого перегріву розплаву (ΔТ ≤ 15 К) були одержані кристали р-типу з широким діапазоном електричних параметрів: концентрацією дірок р = (1010÷1016) см – 3 і рухливістю
μр = (10÷70) см2/(В∙с) при 300 К. Якщо ж розплав був попередньо значно перегрітим (ΔТ ≈ 40÷65 К), то
були вирощені однорідні кристали n-типу, в яких n = (1014 ÷1015) см – 3, μn = (500÷1110) см2/(В∙с) при
300 К. Кристали n-типу зберігали стабільність при нагріванні до 720 К, в цей же час в кристалах
р-типу при нагріванні до Т > 370 К спостерігалися релаксаційні процеси гістерезисного типу. Показано, что электрофизические характеристики кристаллов теллурида кадмия с надстехиометрическим кадмием, выращенных методом Бриджмена, определяются предростовой температурой расплава. В случае небольшого перегрева расплава (ΔТ ≤ 15 К) были получены кристаллы р-типа с широким диапазоном электрических параметров: концентрацией дырок р = (1010 ÷ 1016) см – 3 и подвижностью μр = (10 ÷ 70) см2/(В∙с) при 300 К. Если же расплав был предварительно значительно перегретым (ΔТ ≈ 40 ÷ 65 К), то были выращены однородные кристаллы n-типа, в которых n = (1014 ÷ 1015) см – 3, μn = (500 ÷ 1110) см2/(В∙с) при 300 К. Кристаллы n-типа сохраняли стабильность при нагревании до 720 К, в это же время в кристаллах р-типа при нагревании до Т > 370 К наблюдались релаксационные процессы гистерезисного типа. It has been shown that the electro-physical characteristics of cadmium telluride crystals with overstoichiometric cadmium, grown by Bridgman, are determined by melt pre-growth temperature. In the case of small melt overheat (ΔT ≤ 15 K) there were obtained the p-type crystals with a wide range of electrical parameters: the concentration of holes р = (1010 ÷ 1016) cm – 3 and mobility μр = (10 ÷ 70) cm2/(V∙s) at 300 K. If the melt was pre-overheated greatly (ΔT ≈ 40 ÷ 65 К), the homogeneous n-type crystals were grown, for which n = (1014 ÷ 1015) cm – 3 and μn = (500 ÷ 1110) сm2/(V∙s) at 300 K. The n-type crystals heated to 720 K were stable, at the same time, in the p-type crystals under heating to Т > 370 K there were observed the relaxation processes of hysteresis type. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Australia
1
Bangladesh
1
China
519872156
France
1
Germany
37490055
Greece
24486
Ireland
-1551490008
Italy
1
Japan
1809163715
Lithuania
1
Russia
1
Sweden
1
Ukraine
-1933840458
United Kingdom
74317238
United States
-1551490006
Unknown Country
-1933840460
Downloads
China
522749394
Finland
1
Germany
1777361
India
1
Ireland
1
Lithuania
1
Russia
1
Slovenia
1
Ukraine
522749395
United Kingdom
1
United States
-1551490005
Unknown Country
27
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Opanasiuk.pdf | 380.03 kB | Adobe PDF | -504213821 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.