Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних (гп) структур n-SnS2/p-SnS методом лазерного опромінення вихідного матеріалу SnS2

Voznyi, Andrii Andriiovych; Возний, Андрій Андрійович; Косяк, Володимир Володимирович; Опанасюк, Анатолій Сергійович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64125

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних (гп) структур n-SnS2/p-SnS методом лазерного опромінення вихідного матеріалу SnS2
Authors	Возний, Андрій Андрійович Voznyi, Andrii Andriiovych Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	гетероструктури гетероструктуры heterostructures тонкоплівкові матеріали тонкопленочные материалы thin film materials дисульфід олова дисульфид олова tin disulfide
Type	Patent
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64125
Publisher	Міністерство економічного розвитку і торгівлі України
License
Citation	Пат. 116965 U Україна, МПК (2006), H01L 29/00. Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних (гп) структур n-SnS2/p-SnS методом лазерного опромінення вихідного матеріалу SnS2 / А.А. Возний, В.В. Косяк, А.С. Опанасюк (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. - №u201613358; заявл. 26.12.2016; опубл. 12.06.2017, бюл. № 11.
Abstract	Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних структур n-SnS2/p-SnS, що включає вирощування шару дисульфіду олова (SnS2) з n-типом провідності шляхом термічного випаровування на підкладку вихідного матеріалу SnS2 у квазізамкненому об'ємі (КЗО), який відрізняється тим, що на поверхні одержаного шару SnS2 з n-типом провідності додатково формують однорідний за площею шар сульфіду олова (SnS) з p-типом провідності шляхом лазерного опромінення шару SnS2 з n-типом провідності з інтенсивністю I=8,5-11,5 МВт/см2.
Appears in Collections:	Патенти