Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук CU2(M11)(M1V)(S,SE)4 (M1: MN, FE, CO, NI, ZN, CD, HG; M1V: SI, GE,SN) методом пульсуючого спрей-піролізу

Доброжан, Олександр Анатолійович; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Курбатов, Денис Ігорович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64129

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук CU2(M11)(M1V)(S,SE)4 (M1: MN, FE, CO, NI, ZN, CD, HG; M1V: SI, GE,SN) методом пульсуючого спрей-піролізу
Authors	Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Kurbatov, Denys Ihorovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0001-9238-7596 http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-2754-6367
Keywords	полікристалічні плівки поликристаллические пленки polycrystalline film багатокомпонентні сполуки многокомпонентные соединения multicomponent compounds спрей-піроліз спрей-пиролиз spray pyrolysis
Type	Patent
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64129
Publisher	Державна служба інтелектуальної власності України
License
Citation	Пат.115891 U Україна, МПК (2006), H01L 33/00, C23C 14/00. Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук CU2(M11)(M1V)(S,SE)4 (M1: MN, FE, CO, NI, ZN, CD, HG; M1V: SI, GE,SN) методом пульсуючого спрей-піроліз / О.А. Доброжан, А.С. Опанасюк, Д.І. Курбатов (Україна); заявник та патентовласник Сумський держ. ун-т. - № u201612667; заявл. 12.12.2016; опубл. 25.04.2017, бюл. № 8.
Abstract	Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук Cu2(MII)(MIV)(S, Se)4 (МII: Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cd, Hg; MIV: Si, Ge, Sn) методом пульсуючого спрей-піролізу, що включає розпилення початкового прекурсору, який містить розчин хлоридів (MIuvmCln) або ацетатів (MII,IVrn(CH2COOH)n) металів та тіомочевини (SC(NH2)2) на поверхню нагрітої підкладки з наступним формуванням відповідної плівки, який відрізняється тим, що розпилення прекурсору здійснюють на нагріту до температури 673-683 К підкладку в інертній атмосфері, утвореній в частково герметизованій металевій робочій камері, яку продувають інертним газом з робочим тиском більшим за атмосферний, причому після формування плівки проводять селенізацію шляхом відпалу в парі селену в одному робочому циклі.
Appears in Collections:	Патенти