Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64232
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Formation of porous zinc nanosystems using direct and reverse flows of DC magnetron sputtering |
Other Titles |
Формування наносистем цинку з використанням прямих та обернених потоків магнетрона на постійному струмі |
Authors |
Latyshev, Vitalii Mykhailovych
Perekrestov, Viacheslav Ivanovych Korniushchenko, Hanna Serhiivna Zahaiko, Inna Volodymyrivna |
ORCID |
http://orcid.org/0000-0003-1385-8981 http://orcid.org/0000-0002-2996-1003 |
Keywords |
metals zinc nanomaterials magnetron sputtering crystal morphology метали цинк наноматеріали металлы наноматериалы магнетронное распыление морфология кристалла |
Type | Article |
Date of Issue | 2017 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64232 |
Publisher | STC Institute for single Crystals |
License | |
Citation | Formation of porous zinc nanosystems using direct and reverse flows of DC magnetron sputtering [Текст] / V.M. Latyshev, V.I. Perekrestov, A.S. Korniushchenko, I.V. Zahaiko // Functional materials. — 2017. — №24(1). — P. 154-161. |
Abstract |
У роботі проведено порівняльний аналіз двох механізмів структуроутворення наносистем Zn. У першому класичному варіанті формування наносистем відбувалося на підігрітих підкладках, які розташовані перед магнетронним розпилювачем. Другий варіант заснований на конденсації обернених дифузійних потоків розпиленої речовини на підкладки, які розташовані у порожнині магнетронного розпилювача. Показано, що у порівнянні з класичним варіантом, використання обернених дифузійних потоків призводить до більш вісокої відтворюваності технологічного процесу і до суттєвого підвищення швидості нарощування наносистем. The work is devoted to comparative analysis of two technological solutions for Zn nanosystems formation which have been implemented on the basis of direct-current magnetron sputtering. In the first case, conventional magnetron sputtering was used and direct flows were deposited on the substrate positioned in the front of sputterer. In the second case, reverse flows were used and the substrate was located inside the magnetron sputterer. It has been shown experimentally, that the second technological approach gives more reproducible results as compared to the classical one. In addition, usage of the reverse flows leads to significant increase in the nanosystems deposition rates |
Appears in Collections: |
Наукові видання (ЕлІТ) |
Views
China
1343322431
Czechia
4482113
France
1
Germany
138071386
Greece
1
Hong Kong SAR China
40670
Ireland
42828284
Japan
-1068591709
Lithuania
1
Netherlands
81341
Romania
1
Singapore
-636313546
Slovakia
8094
Sweden
1
Ukraine
70215
United Kingdom
1201681122
United States
-85171736
Unknown Country
940834104
Vietnam
325371
Downloads
China
1
France
643668841
Germany
457664746
India
4482111
Ireland
85656564
Lithuania
1
Mexico
1
Poland
1
Russia
1
Slovakia
829672929
South Africa
1
Taiwan
4482116
Ukraine
134827
United Kingdom
1201681120
United States
-2137183418
Unknown Country
940834105
Vietnam
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Latyshev_Formation of porous.pdf | 756.82 kB | Adobe PDF | 2031093948 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.