Вплив режиму охолодження розплаву на кінетику кристалізації чистих металів

Козоріз, В.С.; Косинська, О.Л.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64275

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Вплив режиму охолодження розплаву на кінетику кристалізації чистих металів
Authors	Козоріз, В.С. Косинська, О.Л.
ORCID
Keywords	кристалізація кристаллизация crystallization режим охолодження режим охлаждения cooling mode чистий метал чистый металл pure metal
Type	Conference Papers
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64275
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Козоріз, В.С. Вплив режиму охолодження розплаву на кінетику кристалізації чистих металів [Текст] / В.С. Козоріз, О.Л. Косинська // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 81.
Abstract	Методами математичного моделювання вивчено вплив термічного режиму охолодження розплаву на кінетику кристалізації тонких шарів Ag, Al, Cu, Ge та Ni, що контактують з масивною підкладкою. Показано, що в залежності від товщини шару розплаву l1, кристалізація минає в різних термічних умовах, які чинять вплив і на кінцеву мікроструктуру фольг. Узагальненням результатів моделювання встановлено три різновиди режимів охолодження тонких шарів розплаву. Шари розплаву товщиною понад 4,69 мкм (для Ge), 1,33 мкм (для Ni), 0,075 мкм (для Ag) та 0,058 мкм (для Cu) тверднуть в умовах інтенсивного виділення прихованої теплоти кристалізації. Криві охолодження мають рекалесцентні ділянки.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)