Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії

Цибуленко, В.В.; Шутов, С.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64309

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії
Authors	Цибуленко, В.В. Шутов, С.В.
ORCID
Keywords	рідиннофазна епітаксія жидкофазная эпитаксия fluid phase epitaxy імпульсний метод импульсный метод pulse method критичне напруження критическое напряжение critical tension
Type	Conference Papers
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64309
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Цибуленко, В.В. Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії [Текст] / В.В. Цибуленко, С.В. Шутов // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 76.
Abstract	При використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії контакт охолодженої підкладки з розчином-розплавом призводить до виникнення градієнту температури по її товщині. При цьому формуються механічні напруження, які можуть призвести до руйнування підкладки. Метою роботи є дослідження напружень, що виникають по товщині підкладки, при використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії. Моделювання проведено для системи Gе-GaAs в діапазоні температур 450÷850 оС. Товщина підкладки – 380 мкм, її початкова температура – 27 оС, товщина Ga-Ge розчину-розплаву – 3500 мкм.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)