Поведінка InSe-фотоперетворювачів при впливі невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання

Сидор, О.М.; Сидор, О.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64489

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Поведінка InSe-фотоперетворювачів при впливі невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання
Authors	Сидор, О.М. Сидор, О.А.
ORCID
Keywords	гамма-випромінювання гамма-излучение gamma radiation радіаційно-стійкий фотоперетворювач радиационно-устойчивый фотопреобразователь radiation-proof photoconductor фотострум фототок photocurrent
Type	Conference Papers
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64489
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Сидор, О.М. Поведінка InSe-фотоперетворювачів при впливі невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання [Текст] / О.М. Сидор, О.А. Сидор // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 103.
Abstract	Традиційна кремнієва електроніка швидко деградує вже при порівняно помірних дозах радіації. Альтернативою при створенні радіаційно-стійких фотоперетворювачів (ФП) видимого, ближніх ІЧ- і УФ-випромінювань можуть служити кристали унікальної групи А3В6. Запропоновано фізичну модель електронних процесів, що спостерігаються у даних р-n-переходах при опроміненні: на фоні утворення простих точкових дефектів відбувалося суттєве покращення досконалості кристалічної гратки шаруватого селеніду індію внаслідок ефективного “заліковування” власних структурних дефектів.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)