Изготовление полупроводниковых диодов с применением слоев пористого анодного окисла кремния

Фролов, А.Н.; Самойлов, Н.А.; Марончук, А.И.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64519

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Изготовление полупроводниковых диодов с применением слоев пористого анодного окисла кремния
Authors	Фролов, А.Н. Самойлов, Н.А. Марончук, А.И.
ORCID
Keywords	полупроводниковый диод напівпровідниковий діод semiconductor diode кремний кремній silicon мезаструктура mezastructure
Type	Conference Papers
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64519
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Фролов, А.Н. Изготовление полупроводниковых диодов с применением слоев пористого анодного окисла кремния [Текст] / А.Н. Фролов, Н.А. Самойлов, А.И. Марончук // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 121.
Abstract	Слои окисла кремния применятся в качестве защитных слоев над выходом p-n переходов на планарную поверхность полупроводниковых устройств, а также имеют хорошие маскирующие свойства при диффузии примесей. Существующие методы создания слоев окисла кремния обладают своими различными достоинствами и недостатками при применении в технологии производства полупроводниковых приборов.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)