Определение температуры рабочего перегрева серийных быстродействующих выпрямительных диодов FES10G

Деменский, А.Н.; Ерохин, С.Ю.; Краснов, В.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64591

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Определение температуры рабочего перегрева серийных быстродействующих выпрямительных диодов FES10G
Authors	Деменский, А.Н. Ерохин, С.Ю. Краснов, В.А.
ORCID
Keywords	кристалл кристал crystal полупроводниковый прибор напівпровідниковий прилад semiconductor device быстродействующий выпрямительный диод швидкодіючий випрямний діод fast-acting rectifier diode
Type	Conference Papers
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64591
Publisher	Сумский государственный университет
License	Copyright not evaluated
Citation	Деменский, А.Н. Определение температуры рабочего перегрева серийных быстродействующих выпрямительных диодов FES10G [Текст] / А.Н. Деменский, С.Ю. Ерохин, В.А. Краснов // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 123.
Abstract	Одним из актуальных направлений развития современной электроники является разработка и совершенствование неразрушающих способов определения температуры кристалла полупроводниковых приборов во время эксплуатации. Предложенный в работе способ определения температуры перегрева кристалла полупроводникового прибора обладает существенным недостатком, связанным со значительной погрешностью определения термочувствительности прибора s.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)