Хімічне полірування Cd(Mn)Te травильними композиціями КІО3 – КІ – лактатна кислота

Іваніцька, В.Г.; Тунь, Є.І.; Мар'янчук, П.Д.; Фочук, П.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64738

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Хімічне полірування Cd(Mn)Te травильними композиціями КІО3 – КІ – лактатна кислота
Authors	Іваніцька, В.Г. Тунь, Є.І. Мар'янчук, П.Д. Фочук, П.М.
ORCID
Keywords	хімічне полірування химическое полирование chemical polishing напівпровідник полупроводник semiconductor лактатна кислота лактатная кислота lactic acid
Type	Conference Papers
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64738
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Хімічне полірування Cd(Mn)Te травильними композиціями КІО3 – КІ – лактатна кислота [Текст] / В. Г. Іваніцька, Є.І. Тунь, П.Д. Мар’янчук, П.М. Фочук // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 106.
Abstract	Хімічна обробка напівпровідників – це сукупність технологічних операцій, які застосовують для одержання досконалої поверхні зразків чистої від забруднень, а також із метою контрольованого видалення матеріалу та отримання пластин заданої товщини. Метою роботи є дослідження особливостей та аналіз результатів хімічної взаємодії монокристалічного Cd0,95Mn0,05Te із розчинами КІО3 – КІ – лактатна кислота в процесі хіміко-механічного полірування (ХМП), виявлення впливу в’язкого компонента на результат ХМП.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)