Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65707
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію |
Other Titles |
Sulfide Passivation of Indium Phosphide Porous Surfaces Сульфидная пассивация поверхности пористого фосфида индия |
Authors |
Сичікова, Я.О.
|
ORCID | |
Keywords |
Поруватий фосфід індію Пасивація Халькогеніди Фотолюмінесценція Сульфідний розчин Окисли Porous indium phosphide Passivation Chalcogenides Photoluminescence Sulfate solution Oxides Пористый фосфид индия Пассивация Халькогениды Фотолюминесценция Сульфатный раствор Окислы |
Type | Article |
Date of Issue | 2017 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65707 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Сичікова, Я.О. Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [Текст] / Я.О. Сичікова // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 1. - 01006. - DOI: 10.21272/jnep.9(1).01006. |
Abstract |
У роботі описується вплив хімічної обробки поверхні поруватого фосфіду індію в розчинах сульфідів на спектр фотолюмінесценції. Показано, що сульфідування призводить поверхню зразків до стану
інертності по відношенню до кисню. Встановлено, що під час халькогенідної пасивації por-InP відбувається видалення шару окислу, замість нього формується тонка кристалічна плівка хімічно інертного матеріалу. The paper describes the effect of the chemical treatment of porous indium phosphide in sulfide solutions on the photoluminescence spectrum. It was shown that the surface sulfiding samples leads to a state of inertia with respect to oxygen. It is found that the thin crystal film is formed of a chemically inert material during chalcogenide passivation por-InP removes oxide layer instead. В работе описывается влияние химической обработки пористого фосфида индия в растворах сульфидов на спектр фотолюминесценции. Показано, что сульфидирование приводит поверхность образцов к состоянию инертности по отношению к кислороду. Установлено, что во время халькогенидной пассивации por-InP происходит удаление слоя окисла, вместо него формируется тонкая кристаллическая пленка химически инертного материала. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

1

674

2473

1

1

36110

18224

477754

36109
Downloads

477754

675

1

103378

1

477755

1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
jnep_V9_01006.pdf | 273.45 kB | Adobe PDF | 1059565 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.