Термостимульована люмінесценція нанодротів ZnO

Abstract

Проведено дослідження термостимульованої люмінесценції вирощених з парової фази нанодротів оксиду цинку в діапазоні температур 295-480 K. Визначено параметри центрів прилипання: енергію іонізації пасток, переріз захоплення носіїв заряду пасткою та частотний фактор. Їхні значення вияви- лися рівними 0,32±0,03 еВ, 6·10 – 18 см 2 і 1,9·10 6 с–1, відповідно. Зроблено висновок про те, що «зелена» смуга люмінесценції в ZnO може бути пов’язаною з електронними переходами з донорних рівнів Zni на акцепторні рівні VZn.

Проведены исследования термостимулированной люминесценции выращенных из паровой фазы нанопроволок оксида цинка в диапазоне температур 295-480 K. Определены параметры центров прилипания: энергии ионизации ловушек, сечения захвата носителей заряда ловушкой и частотного фактора. Их значения оказались равными 0,32±0,03 эВ, 6·10 – 18 см2 и 1,9·10 6 с–1, соответственно. Сделан вывод о том, что «зеленая» полоса люминесценции в ZnO может быть связана с электронными переходами из донорных уровней Zni на акцепторные уровни VZn.

Investigations of the thermally stimulated luminescence of zinc oxide nanowires grown from a vapor phase were performed in the temperature range 295-480 K. The basic parameters of the trapping centers, such as the ionization energy of the traps, the capture cross section of the charge carriers traps and the frequency factor, were determined. The calculated values were found to be 0.32±0.03 еV, 6·10 – 18cm 2 and 1.9·106 s–1, respectively. It was concluded that the green band in ZnO can be related to the electronic transitions from donor levels Zni to the acceptor levels VZn.