Оствальдівське дозрівання квантових точок InAsSbР у рамках модифікованої теорії ЛСВ

Abstract

У рамках узагальненої теорії Ліфшица-Сльозова-Вагнера проведений аналіз росту квантових то- чок InAsSbР/InAs(100) на стадії оствальдівського дозрівання. Встановлено, що після 30-ти хвилинного росту квантових точок InAsSbР, їх розподіл за розмірами добре апроксимується узагальненим розпо- ділом Ліфшица-Сльозова-Вагнера. При цьому ріст квантових точок у процесі оствальдівського дозрі- вання контролюється одночасно об’ємною дифузією та хімічною реакцією. При менших часах росту квантових точок стадія оствальдівського дозрівання наступає частково (20 хв) або не наступає взагалі (10 хв).

В рамках обобщенной теории Лифшица-Слезова-Вагнера проведен анализ роста квантовых точек InAsSbР/InAs (100) на стадии оствальдовского созревания. Установлено, что после 30-ти минутного роста квантовых точек InAsSbР, их распределение по размерам хорошо аппроксимируется обобщен- ным распределением Лифшица-Слезова-Вагнера. При этом рост квантовых точек в процессе остваль- довского созревания контролируется одновременно объемной диффузией и химической реакцией. При меньших временах роста квантовых точек стадия оствальдовского созревание настает частично (20 мин) либо не настает вообще (10 мин).

The analysis of quantum dots (QD) growth in InAsSbP/InAs (100) structure at the stage of Ostwald ripening (OR) is carried out in the frames of generalized LSW theory. It is found that after 30 minute growing of InAsSbP QD, their size distribution is well approximated by generalized Lifshitz–Slyozov– Wagner distribution. The growth of QD in the OR process is governed simultaneously by two mechanisms, namely, bulk diffusion and chemical reaction. At shorter time of QD growth, OR stage occurs partially (20 min) or does not occur at all (10 min).