Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора

Abstract

У роботі описуються особливості термодинамічних властивостей монокристалів кремнію, легованих домішкою бору. Встановлено залежність розрахованої конфігураційної ентропії монокристалів від ступеню легування бором без урахування і з урахуванням параметра комплексоутворення домішки. Проведено аналіз енергії Гіббса при різних ступенях легування бором. Робота має за мету встановити вплив утворення комплексів бору на внутрішню енергію кристалу в цілому, розкрити та поглибити уяву про утворення комплексів домішки бору в монокристалах кремнію.

The results of calculations of thermodynamic probability, number of ways of mixture of two components Si–B at different levels doped boron are found. Dependences of configuration entropy from a degree doped atoms of an impurity B and configuration entropy from a degree doped atoms of an impurity in view of complex formation are presented in the work. The results of calculations of Gibbs energy are found. The work aims to determine the effect of the formation of complexes of boron on the internal energy of the crystal as a whole, to discover and deepen the idea of the formation of complexes of boron impurities in silicon monocrystals.

В работе предоставлен расчет термодинамической вероятности состояния системы Si–B, т.е. число микросостояний системы при различных степенях легирования примесями. Установлена зависимость конфигурационной энтропии системы Si–B от степени легирования примеси B, а также зависимость конфигурационной энтропии данной системы с учетом комплексообразования примесей. Проведен анализ энергии Гиббса при разных степенях легирования. Работа имеет целью установить влияние образования комплексов бора на внутреннюю энергию кристалла в целом, раскрыть и углубить пред- ставление об образовании комплексов примеси бора в монокристаллах кремния.