Розрахунки електронної структури об’ємних кристалів і нанокристалів групи ΑᴵᴵBᵛᴵ (CdS, CdSe) методом модельного нелокального псевдопотенціалу

Abstract

На основі формфакторів модельного потенціалу проведено розрахунки зонної енергетичної структури напівпровідників CdS та CdSe, як об’ємних та і наноструктурованих. Показано перевагу методу модельного псевдопотенціалу над класичними першопринципними підходами в оцінці ширини забороненої зони об’ємних напівпровідникових кристалів. Отримано добре узгодження параметрів зонної структури із експериментальними даними та результатами інших розрахунків.

На основе формфакторов модельного потенциала проведены расчеты зонной энергетической структуры полупроводников CdS и CdSe, как объемных так и наноструктурированных. Показано преимущество метода модельного псевдопотенциала над классическими подходами из первых принципов в оценке ширины запрещенной зоны объемных полупроводниковых кристаллов. Получено хорошее согласование параметров зонной структуры с экспериментальными данными и результатами других расчетов.

The band energy structure calculations have been performed for CdS and CdSe semiconductors as bulk crystals and nanosized crystals. These calculations are based on form factors of the model potential screened with Penn’s expression for dielectric constant. The advantage of the method of model pseudopotential over conventional first principles approaches in the evaluation of the bandgap of bulk semiconductor crystal is shown. The calculated band structure parameters agree well with experimental values and results of other calculations.