Эмиссия фотонов при взаимодействии электронов с поверхностью наногетероструктур

Abstract

Получено количественные данные о спектральном составе и интенсивность излучения в диапазоне 200 – 800 нм при облучении электронами с энергией Еп = 450 эВ пленок As2S3 и многослойных пленок Se/As2S3, Тe/As2S3 и Ві/As2S3. Установлено природу излучателей основных компонент, которые выявлены в исследуемых спектрах, а также место локализации наблюдаемого свечения. Важным результатом работы является определение абсолютного выхода фотонов с поверхности исследуемых образцов, которые составляют соответственно для As2S3 N1 = 1.75 · 10 – 3фот./эл., N2 = 7.57 · 10 – 4 фот./эл.и для многослойных пленок N3 = 1.8 · 10 – 3 фот./эл., N4 = 8.8 · 10 – 4 фот./ эл., N5 = 1.3 · 10 – 3 фот./эл.

Одержано кількісні дані про спектральний склад та інтенсивність випромінювання в діапазоні 200 – 800 нм при опроміненні електронами з енергією Еп = 450 еВ плівок As2S3 та багатошарових плівок Se/As2S3, Тe/As2S3 та Ві/As2S3. Встановлено природу випромінювачів основних компонент, які виявлено в досліджуваних спектрах, а також місце локалізації спостережуваного свічення. Важливим результатом роботи є визначення абсолютного виходу фотонів з поверхні досліджуваних зразків, які становлять відповідно для As2S3 N1 = 1,75 · 10 – 3 фот./ел., N2 = 7,57 · 10 – 4 фот./ел. і для багатошарових плівок N3 = 1,8 · 10 – 3 фот./ел., N4 = 8,8 · 10 – 4 фот./ ел. та N5 = 1,3 · 10 – 3 фот./ел.

For the first time quantitative data and intensity of radiation in the range of 200 – 800 nm is received by electron-photonspectroscopy irradiated by electrons with energies En = 450 eV and films As2S3 and multilayer films Se/As2S3, Te/As2S3and Bi/As2S3. The nature of emission accompanying electron bombardment studied and also a place of localization related to observed glow. Important result of the study is to determine the absolute output of photons from surface samples, which are respectively for As2S3 N1 = 1.75 · 10-3 phot./el., N2 = 7.57 · 10 – 4 phot./el. for the multilayer films of N3 = 1.8 · 10 – 3 phot./el., N4 = 8.8 · 10 – 4phot./el. and N5 = 1.3 · 10 – 3phot./el.