Вплив обробки поверхні Si на електричні властивості гетероструктур p-NiO/n-Si

Abstract

Виготовлені гетероструктури p-NiO/n-Si методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-Si. Показано вплив обробки підкладок Si на електричні властивості гетероструктур. Досліджено їх темнові вольт-амперні характеристики при кімнатній температурі. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є багатоступінчатий тунельний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на межі поділу p-NiO/n-Si і тунелювання, при зворотних зміщеннях - тунелювання та емісія Френкеля-Пула.

Изготовлены гетероструктуры p-NiO/n-Si методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов n-Si. Показано влияние обработки подложек Si на электрические свойства гетероструктур. Исследованы их темновая вольт-амперные характеристики при комнатной температуре. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является многоступенчатый туннельный механизм токопереноса с участием поверхностных состояний на границе раздела p-NiO/n-Si и туннелирования, при обратных смещениях – туннелирование и эмиссия Френкеля-Пула.

Heterostructure p-NiO/n-Si was fabrication by reactive magnetron sputtering thin films nickel oxide on substrates with crystal n-Si.The influence of treatment Si substrate on electrical properties of heterostructures was shown. Studied their dark current-voltage characteristics at room temperature. It was established that the main transfer mechanisms in the forward bias is a multi-step tunneling current transfer mechanism involving surface states at the interface between the p-NiO / n-Si and tunneling, under reverse bias - tunneling and emission of Frenkel-Poole.