Формування квантових точок InAs в матриці GaAs у кінетичному режимі для CVD-методу

Abstract

Представлені теоретичні результати дослідження у кінетичному режимі формування квантових точок InAs в системі InAs/GaAs. Теорія може бути використана на кінетичній стадії, коли ансамбль квантових точок є невзамодіючим. Проведені оціночні розрахунки характеристик кінетики формування КТ InAs в матриці GaAs, та їх структурних властивостей для CVD – методу. Розраховані результати можуть бути використані для аналізу та оптимізації технології гетеронаноструктур In1 – xGaxAs/InAs/GaAs для CVD – методу. Крім того вони корисні для моделювання структурних властивостей КТ InAs в системі InAs/GaAs.

Представлены теоретические результаты исследования при кинетическом режиме формирования квантовых точек InAs в системе InAs/GaAs. Теория может быть использована на кинетической стадии, когда ансамбль квантовых точек является невзаимодействующим. Проведенные оценочные расчеты характеристик кинетики формирования КТ InAs в матрице GaAs, и их структурных свойств для CVDметода. Рассчитаные результаты могут быть использованы для анализа технологии гетеронаноструктур In1 – xGaxAs/InAs/GaAs для CVD-метода. Кроме того, они полезны для моделирования структурных свойств КТ InAs в системе InAs/GaAs.

We present the results of theoretical study for the kinetic mode of quantum dot formation in the InAs / GaAs system. The theory is valid at the kinetic stage of quantum dot formation, when the island ensemble remains dilute and thus noninteracting. The estimating characteristics of the kinetics formation of InAs quantum dot in the matrix GaAs, and their structural properties at CVD-method. The calculated results can be used to analyze technology heteronanostructures In1 – xGaxAs/InAs/GaAs for CVD-method. Moreover they are useful for modeling the structural properties of InAs quantum dot in the system InAs/GaAs. Keywords: Quantum dot, Self-organization, Kinetic regime, CVD-metod.