Фотоелектричне перетворення сигналу в глибокому p-n- переході як засіб детектування карбонових нанотрубок з адсорбованим сульфанолом у водному розчині

Манілов, А.І.; Козинець, О.В.; Гаврильченко, І.В.; Мілованов, Ю.С.; Мухамеджанов, Т.М.; Алексєєв, С.О.; Аль Араімі, М.; Литвиненко, С.В.; Рожин, А.; Скришевський, В.А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65961

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Фотоелектричне перетворення сигналу в глибокому p-n- переході як засіб детектування карбонових нанотрубок з адсорбованим сульфанолом у водному розчині
Other Titles	Фотоэлектрическое преобразование сигнала в глубоком p-n- переходе как способ детектирования карбоновых нанотрубок с адсорбированным сульфанолом в водном растворе Photoelectric Signal Conversion in Deep p-n Junction for Detection of Carbon Nanotubes with Adsorbed SDBS in Aqueous Solution
Authors	Манілов, А.І. Козинець, О.В. Гаврильченко, І.В. Мілованов, Ю.С. Мухамеджанов, Т.М. Алексєєв, С.О. Аль Араімі, М. Литвиненко, С.В. Рожин, А. Скришевський, В.А.
ORCID
Keywords	Сенсор Sensor Карбонові наночастинки Карбоновые наночастицы Carbon nanoparticles Фотострум Фототок Photocurrent Швидкість поверхневої рекомбінації Скорость поверхностной рекомбинации Surface recombination rate Глибокий p-n перехід Глубокий p-n переход Deep p-n junction
Type	Article
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65961
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Фотоелектричне перетворення сигналу в глибокому p-n- переході як засіб детектування карбонових нанотрубок з адсорбованим сульфанолом у водному розчині [Текст] / А.І. Манілов, О.В. Козинець, І.В. Гаврильченко [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2017. – Т.9, № 4. – 04020. – DOI: 10.21272/jnep.9(4).04020.
Abstract	Показана можливість застосування принципу фотоелектричного перетворення в структурах з глибоким р-n переходом для контролю вмісту карбонових нанотрубок з адсорбованою ПАР (сульфанолом) у водному розчині. Проведено експериментальні дослідження впливу аналіту на зміни фотоструму крізь глибокий р-n перехід. Зареєстровано зсув залежності фотоструму від напруги, прикладеної до поверхні сенсорної структури, обумовлений присутністю карбонових нанотрубок у розчині. Зміни ефективної швидкості рекомбінації, що відповідають розподілу фотоструму на поверхні, можуть бути зумовлені зміною приповерхневого вигину зон. Показана возможность использования принципа фотоэлектрического преобразования в структурах с глубоким р-n переходом для контроля содержания карбоновых нанотрубок с адсорбированной ПАВ (сульфанолом) в водном растворе. Проведены экспериментальные исследования влияния аналита на изменение фототока через глубокий р-n переход. Зарегистрировано смещение зависимости фототока от напряжения, приложенного к поверхности сенсорной структуры, обусловленное присутствием карбоновых нанотрубок в растворе. Изменение эффективной скорости рекомбинации, которая соответствует распределению фототока на поверхности, может быть обусловлено изменением приповерхностного изгиба зон. The possibility of using the principle of photoelectric conversion in structures with a deep p-n junction to control the content of carbon nanotubes with adsorbed surfactant (SDBS) in an aqueous solution was shown. Experimental studies of the analyte influence on the change in the photocurrent through a deep p-n junction were carried out. A shift in the dependence of the photocurrent on the voltage applied to the surface of the sensor structure due to the presence of carbon nanotubes in the solution was recorded. The change in the effective recombination rate, which corresponds to the distribution of the photocurrent at the surface, can be attributed to a change in the near-surface band bending.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)