Purification of the Cd(Mn)Te For X-ray Detector Crystals by Special Annealing

Zakharuk, Z.; Dremlyuzhenko, S.; Solodin, S.; Nykonyuk, E.; Rudyk, B.; Kopach, O.; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Fochuk, P.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65987

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Purification of the Cd(Mn)Te For X-ray Detector Crystals by Special Annealing
Other Titles	Очистка кристаллов Cd(Mn)Te для детекторов рентгеновского излучения специальным отжигом Очистка кристалів Cd(Mn)Te для детекторів рентгенівського випромінювання спеціальним відпалом
Authors	Zakharuk, Z. Dremlyuzhenko, S. Solodin, S. Nykonyuk, E. Rudyk, B. Kopach, O. Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Fochuk, P.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	Solid solutions Cd1 – xMnxTe Твердые растворы Cd1 – xMnxTe Тверді розчини, Cd1 – xMnxTe Purification Очистка Очищення Electrical characteristics Электрические характеристики Електричні характеристики Optical measurements Оптические измерения Оптичні вимірювання Inclusions Включения Включення Thermal treatment Термическая обработка Термічна обробка
Type	Article
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65987
Publisher	Sumy State University
License
Citation	Purification of the Cd(Mn)Te For X-ray Detector Crystals by Special Annealing [Текст] / Z. Zakharuk, S. Dremlyuzhenko, S. Solodin [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2017. – Т.9, № 6. – 06004. – DOI: 10.21272/jnep.9(6).06004.
Abstract	To purify Cd0,95Mn0,05Te ingots a modified travelling heater method (called «dry zone») was applied. Even one pass of the zone decreased essentially Te inclusions (size and density) in the ingot. The p-type conductivity and others electrical characteristics of the material almost didn’t change, however the concentration of shallow (εА ≈ 0.05 еV) acceptors reduced and the compensation degree of deeper acceptors (εА ≈ 0.17 еV) increased. Such transformation of a defect-impurity system was manifested in decreasing of the ionized centers’ concentration and in reducing of impurities absorption coefficients both at 0.1-0.5 eV and near the edge of fundamental band. С целью очистки слитков Cd0,95Mn0,05Te был применен модифицированный метод подвижного нагревателя (названный «сухая зона»). Даже один проход зоны существенно уменьшал включения Te (размер и концентрацию) в слитке. Проводимость p-типа и другие электрические характеристики материала почти не изменились, однако концентрация мелких (εА ≈ 0,05 эВ) акцепторов уменьшилась, а степень компенсации более глубоких акцепторов (εА ≈ 0,17 эВ) увеличилась. Такое преобразование дефектно-примесной системы проявилось в уменьшении концентрации ионизованных центров и в снижении коэффициентов поглощения примесей как при 0,1-0,5 эВ, так и вблизи края фундаментальной зоны. З метою очищення злитків Cd0,95Mn0,05Te застосований модифікований метод рухомого нагрівника (названий «суха зона»). Навіть один прохід зони суттєво зменшував вкраплення Te (розмір і концентрацію) в злитку. Провідність p-типу та інші електричні характеристики матеріалу майже не змінилися, однак концентрація мілких (εА ≈ 0,05 еВ) акцепторів зменшилася, а ступінь компенсації більш глибоких акцепторів (εА ≈ 0,17 еВ) збільшився. Таке перетворення дефектно-домішкової системи проявилось у зменшенні концентрації іонізованих центрів і у зниженні коефіцієнтів поглинання домішок як при 0,1-0,5 еВ, так і поблизу краю фундаментальної зони.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)