Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію

Вамболь, С.О.; Богданов, І.Т.; Вамболь, В.В.; Сичікова, Я.О.; Кондратенко, О.М.; Несторенко, Т.П.; Онищенко, С.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66019

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію
Other Titles	Formation of Filamentary Structures of Oxide on the Surface of Monocrystalline Gallium Arsenide Формирование нитевидных оксидных структур на поверхности монокристаллического арсенида галлия
Authors	Вамболь, С.О. Богданов, І.Т. Вамболь, В.В. Сичікова, Я.О. Кондратенко, О.М. Несторенко, Т.П. Онищенко, С.В.
ORCID
Keywords	Арсенід галію Арсенид галлия Gallium Arsenide Напівпровідники Полупроводник Semiconductor Нанодроти Нанопровода Nanowires Електрохімічне Травлення Электрохимическое Травление Electrochemical Etching Електроліт Электролит Electrolyte
Type	Article
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66019
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію [Текст] / С.О. Вамболь, І.Т. Богданов, В.В. Вамболь [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2017. – Т.9, № 6. – 06016. – DOI: 10.21272/jnep.9(6).06016.
Abstract	У роботі представлено метод формування ниткоподібних оксидних нанокристалітів на поверхні монокристалічного арсеніду галію. Нанодроти було сформовано методом електрохімічного травлення у розчині соляної та бромистої кислот. Оцінено морфологічні властивості отриманих структур та показано можливість застосування їх у якості газових сенсорів. Стабільність властивостей нанодротів забезпечується наявністю оксидної фази на їх верхівках та по поверхні. Нахил нанодротів пояснюється виходячи з стійкості кристалографічних площин їх граней. В работе представлен метод формирования нитевидных оксидных нанокристаллитов на поверхности монокрсталлического арсенида галлия. Нанопровода были сформированы методом электрохимического травления в растворе соляной и бромистой кислот. Оценены морфологические свойства полученных структур и показана возможность применения их в качестве газовых сенсоров. Стабильность свойств нанопроводов обеспечивается наличием оксидной фазы на их пиках и по поверхности. Наклон нанопроводов объясняется исходя из устойчивости кристаллографических плоскостей их граней. The method of forming filamentary oxide nanocrystals on a surface of monocrystalline gallium arsenide. Nanowires were formed by electrochemical etching in hydrochloric acid and methyl. Reviewed morphological properties of the structures and the possibility of their use as gas sensors. The stability properties of nanowires is ensured by the oxide phase at their tops and on the surface. The slope of the nanowires is explained on the basis of the stability of crystallographic planes of their faces.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)