Spectroscopic Ellipsometry Studies and Temperature Behaviour of the Dielectric Function of TlInS2 Layered Crystal

Gomonnai, O.O.; Gordan, O.; Guranich, P.P.; Huranich, P.; Slivka, A.G.; Gomonnai, A.V.; Zahn, D.R.T.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66195

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Spectroscopic Ellipsometry Studies and Temperature Behaviour of the Dielectric Function of TlInS2 Layered Crystal
Other Titles	Спектроскопічні еліпсометричні дослідження та температурна поведінка діелектричних функцій шаруватого кристалу TlInS2 Спектроскопические эллипсометрические исследования и температурное поведение диэлектрических функций слоистого кристалла TlInS2
Authors	Gomonnai, O.O. Gordan, O. Guranich, P.P. Huranich, P. Slivka, A.G. Gomonnai, A.V. Zahn, D.R.T.
ORCID
Keywords	Dielectric function Optical transitions Structural phase transitions Діелектрична функція Оптичні переходи Структурні фазові переходи Диэлектрическая функция Оптические переходы Структурные фазовые превращения
Type	Article
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66195
Publisher	Sumy State University
License	Copyright not evaluated
Citation	Spectroscopic Ellipsometry Studies and Temperature Behaviour of the Dielectric Function of TlInS2 Layered Crystal [Текст] / O.O. Gomonnai, O. Gordan, P.P. Guranich [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 5. - 05025. - DOI: 10.21272/jnep.9(5).05025.
Abstract	Real and imaginary parts of the dielectric function of TlInS2 single crystals in the spectral range from 1 to 5 eV were determined within a temperature range of 133–293 K from spectroscopic ellipsometry measurements. The energies of interband transitions (critical points) for TlInS2 were obtained from the second derivatives of the dielectric function. Temperature dependent features observed in the temperature range of the structural phase transition (190–220 K) and at lower temperatures are discussed. Дійсну та уявну частини діелектричної функції кристалу TlInS2 визначено в спектральному діапазоні від 1 до 5 еВ в інтервалі температур 133-293 К із спектроскопічних еліпсометричних досліджень. Енергії міжзонних переходів (критичних точок) отримано для TlInS2 з других похідних від діелектричних функцій. Обговорюються особливості в області структурних фазових переходів (190-220 К) та при нижчих температурах. Из спектроскопических эллипсометрических исследований определена действительная и мнимая части диэлектрической функции кристалла TlInS2 в спектральном диапазоне от 1 до 5 эВ в интервале температур 133–293 К. Энергии между зонных переходов (критических точек) получено для TlInS2 из вторых производных от диэлектрических функций. Обсуждаются особенности в области структурных фазовых превращений (190–220 К) и при меньших температурах.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)