Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66258
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив гідростатичного тиску на електронну структуру кристала NiMnAs
Other Titles Влияние гидростатического давления на электронную структуру кристалла NiMnAs
Effect of Hydrostatic Pressure on the Electronic Structure of the Crystal NiMnAs
Authors Сиротюк, С.В.
Лопатинський, І.Є.
Швед, В.М.
Щербань, Н.О.
ORCID
Keywords Енергетичний спектр електронів
Спінова поляризація
Сильна кореляція електронів
Магнітній момент
Вплив гідростатичного тиску
Энергетический спектр электронов
Спиновая поляризация
Сильная корреляция электронов
Магнитный момент
Влияние гидростатического давления
Energy spectrum of electrons
Spin polarization
Strong correlation of electrons
Magnetic moment
Influence of hydrostatic pressure
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66258
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Вплив гідростатичного тиску на електронну структуру кристала NiMnAs [Текст] / С.В. Сиротюк, І.Є. Лопатинський, В.М. Швед, Н.О. Щербань // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 5. - 05039. - DOI: 10.21272/jnep.9(5).05039.
Abstract Розраховані електронні енергетичні спектри та густини електронних станів напівметалевого кристала NiMnAs без урахування тиску та сильних електронних кореляцій та з включенням останніх в розрахункову схему. Виявлено великий вплив сильних кореляцій 3d електронів на значення ширини забороненої зони кристала. Знайдено, що за відсутності тиску й без урахування сильних кореляцій d електронів Ni й Mn кристал характеризується дуже вузькою непрямою міжзонною щілиною з рівнем Фермі у зоні провідності. За відсутності тиску включення в розрахунок сильних кореляцій приводить для носіїв зі спіном вниз до класичного напівпровідника з рівнем Фермі в забороненій зоні. Урахування сильних кореляцій і тиску приводить до занурення рівня Фермі у валентну зону. Розрахунки електронних властивостей кристала NiMnAs під дією гідростатичного тиску виконані вперше.
Рассчитаны электронные энергетические спектры и плотности электронных состояний полуметаллических кристала NiMnAs без учета давления и сильных электронных корреляций и с включением последних в расчетную схему. Выявлено большое влияние сильных корреляций 3d электронов на значение ширины запрещенной зоны кристалла. Найдено, что при отсутствии давления без учета сильных корреляций d электронов Ni и Mn кристалл характеризуется очень узкой непрямой межзонной щелью с уровнем Ферми в зоне проводимости. При отсутствии давления включение в расчет сильных корреляций приводит для носителей со спином вниз к классическому полупроводнику с уровнем Ферми в запрещенной зоне. Учет сильных корреляций и давления приводит к погружению уровня Ферми в валентную зону. Расчеты электронных свойств кристалла NiMnAs под действием гидростатического давления выполнены впервые.
The electronic energy spectra and densities of the electronic states of semimetallic NiMnAs crystals are calculated without taking into account the pressure and strong electron correlations and with the inclusion of the latter in the calculation scheme. The large influence of strong correlations of 3d electrons on the width of the band gap of a crystal is revealed. It is found that in the absence of pressure and without considering strong correlations of the d electrons of Ni and Mn, the crystal is characterized by a very narrow, indirect band gap with a Fermi level in the conduction band. In the absence of pressure, the inclusion in the calculation of strong correlations leads for carriers with spin down to a classical semiconductor with a Fermi level in the forbidden band. The inclusioin of strong correlations and pressures leads to an immersion of the Fermi level in the valence band. Calculations of the electronic properties of a NiMnAs crystal under the hydrostatic pressure were performed for the first time.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
4076
Argentina Argentina
1
China China
173796
Germany Germany
8149
Ireland Ireland
2037
Lithuania Lithuania
1
Poland Poland
1
Ukraine Ukraine
45552
United Kingdom United Kingdom
22995
United States United States
347592
Unknown Country Unknown Country
10

Downloads

Algeria Algeria
4077
China China
1
Germany Germany
8151
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
90972
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
604211
Unknown Country Unknown Country
7

Files

File Size Format Downloads
JNEP_05039.pdf 1.61 MB Adobe PDF 707421

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.