Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67430
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Модель нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску
Other Titles The Model of Nucleation of Nanometer Structure of the Adatoms Under the Action of Comprehensive Pressure
Authors Пелещак, Р.М.
Кузик, О.В.
Даньків, О.О.
ORCID
Keywords нуклеація
всебічний тиск
адсорбований атом
нанокластер
акустоелектронна взаємодія
adsorbed atom
nucleation
comprehensive pressure
nanocluster
acousto-electronic interaction
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67430
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Пелещак, Р.М. Модель нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску [Текст] / Р.М. Пелещак, О.В. Кузик, О.О. Даньків // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – Т.10, № 1. – 01014. - DOI: 10.21272/jnep.10(1).01014.
Abstract Розроблено теорію нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску з враху- ванням акустоелектронної взаємодії. Самоорганізація відбувається в результаті дефектно-деформаційної нестійкості, обумовленої самоузгодженою взаємодією адсорбованих атомів з поверхне- вою акустичною хвилею. У межах даної теорії досліджено вплив всебічного тиску та ступеня легуван- ня напівпровідника на умови формування і період нанометрової структури адатомів. Визначено пе- ріод нанометрової структури адатомів залежно від величини всебічного тиску, температури, середньої концентрації адатомів та електронів провідності. Встановлено, що збільшення тиску призводить до розширення температурних інтервалів, у межах яких формуються нанометрові структури адатомів, та зменшення їх періоду.
The theory of nucleation of nanometer structure of the adatoms under the action of comprehensive pressure taking into account acousto-electronic interaction is developed. Self-organization occurs as a result of defect-deformation instability caused by self-consistent interaction between the adsorbed atoms and the surface acoustic wave. Within this theory the influence of comprehensive pressure and doping degree of semiconductor on the conditions of formation and the period of nanometer structure of the adatoms is investigated. The period of nanometer structure of the adatoms depending on the value of comprehensive pressure, temperature, average concentration of the adatoms and conduction electrons is defined. It is established that the increase in pressure leads to expansion of temperature intervals within which nanometer structures of the adatoms are formed, and the decrease of their period.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
1615857
Czechia Czechia
1
France France
2
Germany Germany
2807
Greece Greece
1
Ireland Ireland
27376
Italy Italy
1
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
269541
United Kingdom United Kingdom
119327
United States United States
16250534
Unknown Country Unknown Country
18554992

Downloads

China China
1
Germany Germany
2807
India India
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
807929
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
16250533
Unknown Country Unknown Country
36

Files

File Size Format Downloads
Peleshchak_jnep_V10_01014.pdf 416.83 kB Adobe PDF 17061310

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.