Модель нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску

Abstract

Розроблено теорію нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску з враху- ванням акустоелектронної взаємодії. Самоорганізація відбувається в результаті дефектно-деформаційної нестійкості, обумовленої самоузгодженою взаємодією адсорбованих атомів з поверхне- вою акустичною хвилею. У межах даної теорії досліджено вплив всебічного тиску та ступеня легуван- ня напівпровідника на умови формування і період нанометрової структури адатомів. Визначено пе- ріод нанометрової структури адатомів залежно від величини всебічного тиску, температури, середньої концентрації адатомів та електронів провідності. Встановлено, що збільшення тиску призводить до розширення температурних інтервалів, у межах яких формуються нанометрові структури адатомів, та зменшення їх періоду.

The theory of nucleation of nanometer structure of the adatoms under the action of comprehensive pressure taking into account acousto-electronic interaction is developed. Self-organization occurs as a result of defect-deformation instability caused by self-consistent interaction between the adsorbed atoms and the surface acoustic wave. Within this theory the influence of comprehensive pressure and doping degree of semiconductor on the conditions of formation and the period of nanometer structure of the adatoms is investigated. The period of nanometer structure of the adatoms depending on the value of comprehensive pressure, temperature, average concentration of the adatoms and conduction electrons is defined. It is established that the increase in pressure leads to expansion of temperature intervals within which nanometer structures of the adatoms are formed, and the decrease of their period.