Фотоелектричні властивості нанокомпозитних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3

Abstract

В даній роботі вперше досліджено зв'язок між морфологією, хімічним складом і фотоелектрични- ми властивостями вертикальних іонотронних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напі- впровідника InSe та іонної солі RbNO3. Встановлено, що максимальну фоточутливість мають наност- руктури, які складаються з 2D шарів InSe, ультратонких шарів оксиду In2O3 і кільцевих наноструктур іонної солі, які розташовані в площинах (0001) кристалу InSe періодично вздовж його кристалічної ві- сі С. Встановлений зв'язок між морфологією гетерограниць і спектральним розподілом фотопровідно- сті для іонотронних наноструктур, сформованих на основі кристалів GaSe і InSe і іонних солей MeNO3 (Me  K, Rb). Досліджено імпедансні спектри, спектральний розподіл фоточутливості та морфологію поверхонь вертикальних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідни- ка n-InSe та іонної солі RbNO3.

In this work the relation between the morphology, chemical composition and photoelectric properties of vertical ionotronic nanostructures based on layered semiconductor InSe and ionic RbNO3 salt was investigated. It is established that nanostructures consisting of 2D InSe layers, ultrathin layers of In2O3 oxide and annular nanostructures of the ionic salt, which are located in the (0001) planes of InSe crystal periodically along main crystal axis, have a maximum photosensitivity. The connection between the heterogeneous morphology and the spectral distribution of photoconductivity for the ionotronic nanostructures formed on the basis of GaSe and InSe crystals and ionic MeNO3 salts (Me  K, Rb) is established. Impedance spectra, spectral distribution of photosensitivity and morphology of the surfaces of vertical ionotronic structures, formed on the basis of 2D layered semiconductor n-InSe and ionic RbNO3 salt has been investigated.

В данной работе впервые исследована связь между морфологией, химическим составом и фото- электрическими свойствами вертикальных ионотронних наноструктур, сформированных на основе слоистого полупроводника InSe и ионной соли RbNO3. Установлено, что максимальную светочувстви- тельность имеют наноструктуры, состоящие из 2D слоев InSe, ультратонких слоев оксида In2O3 и кольцевых наноструктур ионной соли, которые расположены в плоскостях (0001) кристалла InSe пе- риодически вдоль его кристаллической оси С. Установлена связь между морфологией гетерограниць и спектральным распределением фотопроводимости для ионотронних наноструктур, сформированных на основе кристаллов GaSe и InSe и ионных солей MeNO3 (Me  K, Rb). Исследованы импедансные спектры, спектральное распределение фоточувствительности и морфологию поверхности вертикальных ионотронних структур, сформированных на основе 2D слоистого полупроводника n-InSe и ионной соли RbNO3.