Электрические свойства тонких плѐнок Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSnSe2Te2(S2), полученных методом термовакуумного напыления

Козярский, И.П.; Майструк, Э.В.; Козярский, Д.П.; Марьянчук, П.Д.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67450

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Электрические свойства тонких плѐнок Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSnSe2Te2(S2), полученных методом термовакуумного напыления
Other Titles	Electric Properties of Thin Films Cu2ZnSnSe4 and Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) Obtained by Thermal Vacuum Deposition Електричні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4 і Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) отриманих методом термовакуумного напилення
Authors	Козярский, И.П. Майструк, Э.В. Козярский, Д.П. Марьянчук, П.Д.
ORCID
Keywords	тонкие пленки CZTS удельное сопротивление термовакуумное напыление тонкі плівки CZTS питомий опір термовакуумне напилення thin films CZTS resistivity thermal vacuum deposition
Type	Article
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67450
Publisher	Сумской государственный университет
License
Citation	Электрические свойства тонких плѐнок Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSnSe2Te2(S2), полученных методом термовакуумного напыления [Текст] / И.П. Козярский, Э.В. Майструк, Д.П. Козярский [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – Т.10, № 1. – 01028. - DOI: 10.21272/jnep.10(1).01028
Abstract	Представлены технологические особенности синтеза и выращивания объемных кристаллов Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 и Cu2ZnSnSe2Te2. Получены поликристаллические слитки длиной до 50 мм и диаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напыления напылены тонкие пленки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2, Cu2ZnSnSe2Te2. С помощью четырехзондового метода определены значения удельного сопротивление полученных пленок. Представлено технологічні особливості синтезу і вирощування об’ємних кристалів Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Отримано полікристалічні злитки довжиною до 50 мм та діаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напилення отримано тонкі плівки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Чотиризондовим методом визначено значення питомого опору отриманих плівок. The technological features of synthesizing and growing bulk crystals Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 and Cu2ZnSnSe2Te2. Obtained polycrystalline ingot to 50 mm long and 10 mm in diameter. Sputtering of thin films Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2, Cu2ZnSnSe2Te2 carried out in the vacuum system UVN - 70 by thermal vacuum deposition. Investigation of the electrical properties of thin films CZTS performed by resistivity measurement. The resistivity of the films was measured by four-probe method.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)